Name: Asistida por flujo dielectroforesis: Un método de bajo costo para la fabricación de dispositivos de nanocable procesables en solución de alto rendimiento (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2017-12-07T14:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 14 s
Description: Aprende la fabricación de dispositivos de nanocable mediante dielectroforesis asistida por flujo. Este método de bajo costo permite el autoensamblaje eficiente de transistores de efecto campo de silicio para aplicaciones electrónicas avanzadas.

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Los autores desean agradecer a ESPRC y BAE systems para apoyo financiero y el Prof. Brian A. Korgel y su grupo de suministro de SFLS crecido nanohilos de silicio utilizados en este trabajo.

PRECAUCIÓN: Todos los procedimientos a menos que lo contrario indicado tendrá lugar en las evaluaciones de medio ambiente y el riesgo de un limpio han hecho para garantizar la seguridad durante los nanohilos y manipulación de productos químicos. Nanomateriales tengan un número de consecuencias para la salud que son como de todavía desconocido y por lo que deberá manejarse con apropiado cuidado21.
Nota: El proceso comienza con la preparación de los sustratos, seguido por los primeros pasos de deposición de metal y Fotolitografía para definir los contactos DEP. Los nanohilos se ensamblan luego mediante DEP y un paso adicional opcional photolithographic y metal de la deposición puede realizarse para depósito superior contactos en nanohilos. Las características de corriente / tensión dispositivos de nanocable transistor se miden con el equipo de caracterización de semiconductores.
1. preparación de sustratos
<ol><li>Cortar una oblea de dióxido de silicio/silicio de tipo n dopado en tamaños convenientes, por ejemplo, 2,5 cm2.</li>
	<li>Durante el corte, asegúrese de que la superficie de la oblea no esté tocada rayada.</li>
	<li>Ejecutar una punta de trazar de diamante a través de la superficie en un movimiento continuo para hacer un corte.</li>
	<li>Dividir la oblea a lo largo del corte.</li>
	<li>Coloque las muestras en un soporte de sustrato y someter a ultrasonidos durante 5 min en un baño ultrasónico al 100% de potencia (450 W), primero en agua desionizada, luego la acetona y finalmente isopropanol (IPA). Nota: Ver Tabla de materiales para números del CAS y proveedores.</li>
	<li>Los sustratos con una pistola de nitrógeno para quitar cualquier resto IPA o polvo de la superficie en seco.</li>
	<li>Ceniza de plasma las muestras en plasma de oxígeno de 100 W durante 5 min para eliminar cualquier residuo orgánico remanente.</li>
</ol>2. Fotolitografía proceso bicapa de contactos
Nota: Un proceso de fotolitografía de bicapa se utiliza para crear electrodos. El proceso de fotolitografía se lleva a cabo en un salón amarillo para prevenir la caries de photoresist materiales.
<ol><li>Calentar la muestra a 150 ° C durante 15 minutos usando una placa, para quitar toda el agua de la superficie. Nota: Esto es para asegurar la adherencia de photoresist; sin embargo, también pueden utilizar iniciadores químicos como HMDS.</li>
	<li>Retire la muestra de la placa y colóquela sobre un recubridor spin.</li>
	<li>Usando una pipeta, gota aproximadamente 1 mL de photoresist A en la superficie hasta cubre uniformemente toda la muestra. Nota: Ver Tabla de materiales para la fotoresistencia exacto utilizado.</li>
	<li>Girar la muestra a 4.000 rpm durante 45 s, para producir un espesor de película de aproximadamente 250 nm. Si los electrodos que son más gruesas que los 150 nm son depositados, cambiar esta receta.</li>
	<li>Retire la muestra de un recubridor de giro y coloque sobre una placa caliente a 150 ° C durante 5 minutos.</li>
	<li>Retire la muestra de la placa y dejar reposar 5 min en una caja de humedad de 50% la muestra. Esto es para asegurar la rehidratación de la fotoresistencia22. Nota: Si la humedad del laboratorio es superior al 50%, la muestra se puede dejar en el aire.</li>
	<li>Coloque la muestra en un recubridor spin y pipetee 1 mL aproximadamente de photoresist B en la superficie del sustrato.</li>
	<li>Girar la muestra a 3.500 rpm durante 45 s, dando un espesor de película de aproximadamente 500 nm.</li>
	<li>Coloque la muestra en una placa caliente a 120 ° C por 2 min.</li>
	<li>Retire la muestra de la placa y dejar descansar en una caja de humedad de 50% durante 5 minutos.</li>
	<li>Exponer la muestra usando una máscara de alineador y photomask a la luz UV para 6.7 s para un total de 180 mJ de la exposición. Nota: La dosis de exposición exacta que tenga que ajustar en función de un modelo particular de alineador de la máscara.</li>
	<li>Retire la muestra del máscara-alineador y desarrollar sumergiendo en photoresist developer para 30 s. Nota: Ver Tabla de materiales para el desarrollador exacto.</li>
	<li>Retire la muestra de la promotora, sumergir la muestra en agua desionizada y enjuáguela para detener el proceso de desarrollo.</li>
	<li>Compruebe la fotolitografía usando un microscopio óptico. Un polarizador puede utilizarse para comprobar la socava de la bicapa que debe aparecer como débiles líneas alrededor del canal. El tiempo puede ser ajustado si es mucho o poco dos socavan se logra.</li>
</ol>3. deposición de contactos metálicos
Nota: Deposición del electrón (E-beam) de la viga se utiliza para los electrodos en la fotoresistencia preparado de depósito. Este proceso también puede utilizar evaporadores térmicos u otros tipos de técnicas de deposición de película delgada de metal.
<ol><li>Colocar las muestras en la cámara E-beam; bomba hacia abajo hasta llega a un alto vacío. En este caso, se llega a un vacío de alrededor de 1 x 10-6 mTorr.</li>
	<li>Depósito 2-6 nm de titanio que actúa como capa de adhesión seguido por 30 nm de oro para los contactos DEP.</li>
	<li>Retire las muestras de la cámara E-beam.</li>
	<li>Realice el procedimiento de despegue mediante la eliminación de la mayoría de la fotoresistencia y exceso del metal. Esto se realiza colocando las muestras en un vaso de photoresist remover durante 15 minutos.</li>
	<li>Extraer las muestras del vaso de la fotoresistencia removedor A y colocar en otro vaso limpio de photoresist remover por 15 minutos más. Esto es para evitar que cualquier partícula de metal grande colocar en la muestra.</li>
	<li>Completo despegue por sonicando el vaso durante 5 minutos a potencia 50%.</li>
	<li>Retirar las muestras del baño uno por uno, asegurándose de enjuagar el material con IPA para evitar que partículas de metal no deseadas colocar entre electrodos. Nota: Los electrodos están preparados ahora para la alineación de DEP de nanohilos.</li>
</ol>4. DEP de nanohilos
<ol><li>Preparar una solución de silicio u otros nanohilos en anisole de concentración de aproximadamente 1 μg/mL. En este experimento, la solución es brevemente sonicada por 15 s en la menor potencia posible quitar cualquier floculación. Pueden utilizarse otros solventes como el tolueno y el N, N-dimetilformamida (DMF)1.</li>
	<li>Comprobar la solución colocar 10 μl de la formulación de nanocable sobre un substrato sacrificial del bastidor.</li>
	<li>Examine el sustrato con nanocables depositados mediante un microscopio óptico polarizado (POM). Los nanohilos de silicio son birrefringentes y por lo tanto pueden ser vistos fácilmente en POM. Si hay no hay matas de nanocable visible, y la mayoría de nanohilos se dispersa bien en el substrato, entonces puede comenzar la siguiente etapa, de lo contrario la solución es volver a sonicación y la concentración de nanocable puede ser necesario ajustar. Puede tomar varios intentos para lograr la dispersión correcta de nanocable.</li>
	<li>Colocar la muestra preparada con electrodos a 30° (vs horizonte) inclinada plataforma con el canal del dispositivo alineado horizontalmente. La dirección del flujo de dispersión debe ser perpendicular a los bordes de los electrodos para permitir alineación de nanocable más eficiente.</li>
	<li>Póngase en contacto con los electrodos utilizando micro-sondas conectadas a un generador de frecuencia1.</li>
	<li>Conjunto de que la frecuencia deseada y la tensión son el generador de frecuencia. En este experimento, utilizar una tensión de señal DEP de 10 V pico-a pico y una onda sinusoidal de 1 MHz. Nota: Aumentar la frecuencia a 20 MHz puede ayudar a recopilar nanohilos con alta conductividad y trampa baja densidad1,2. Véase la referencia1 para una discusión detallada. DEP señal frecuencia indicada aquí se obtuvo mediante la realización de SFLS Si nanohilos espectroscopia y colección tiempo análisis de impedancia, como se describe en la referencia1. Otros tipos de nanohilos con movilidad de portador de carga superior o inferior, dopado nanohilos o nanohilos obtenidos por otros métodos de crecimiento pueden tener diferente rango de la frecuencia de la señal DEP resultante en el cobro de nanocables de alta calidad.</li>
	<li>Encender el generador de frecuencia y soltar aproximadamente 10 μl de solución de nanocable utilizando una micropipeta sobre el área de dispositivo. Nota: Colocar la muestra en un ángulo (30 º) ayuda a crear un flujo lento del líquido de la asistida por gravedad. Por otra parte, una acción capilar con un portaobjetos de vidrio puede ser usado6.</li>
	<li>La DEP se aplica señal de 30 s y apague luego el generador de frecuencia.</li>
	<li>Retire la muestra y lavar suavemente con IPA.</li>
	<li>Seco de la muestra con suavidad utilizando una pistola de nitrógeno. Un microscopio óptico polarizado se puede utilizar para inspeccionar la muestra y ajustar los parámetros Nota: El voltaje de la señal DEP, la frecuencia y la densidad de la dispersión de nanocable pueden ajustarse para lograr una densidad deseada reproducible de nanohilos de unos nanohilos a unos pocos cientos por dispositivo1,2.</li>
</ol>5. deposición de una capa metálica secundaria
<ol><li>Para lograr mejor inyección actual en NW FETs, aplicar un segundo contacto metálico en la parte superior del nanocable. Nota: Este proceso deposición contacto sigue los mismos pasos exactos que las secciones 2 y 3, en fotolitografía y deposición de metal, excepto que se deposita una capa de oro.</li>
</ol>6. IV caracterización de los dispositivos de nanocable
Nota: Las muestras están ahora completas y pueden ser utilizadas en posteriores experimentos o sus características-V pueden medirse para establecer propiedades eléctricas de la FET de nanocable. Los dispositivos fabricados son FETs back Country, donde sirve la puerta común de la oblea de silicio dopada, y SiO2 capa sirve como el dieléctrico de la puerta.
<ol><li>Para establecer contacto eléctrico con la puerta, saque una pequeña área del óxido de silicio en el borde de la muestra usando un diamante.</li>
	<li>Utilizar una pistola de nitrógeno para eliminar cualquier partícula no deseada dióxido de silicio.</li>
	<li>Coloque tres microsondas (fuente, desagüe y puerta) en los contactos del electrodo de fuente de oro-drenaje, con la sonda de puerta en el área con quitada de SiO2.</li>
	<li>Utilizar un sistema de caracterización de semiconductores para tomar medidas-V.</li>
	<li>Mida las exploraciones transferencia y salida de NW FETs como estos dan información sobre el rendimiento del dispositivo y las propiedades eléctricas de los nanohilos1,17,23. Cuenta que las mediciones de transferencia son versión source-drain y barrido tensión de puerta. Las características de salida son medidas por el barrido de voltaje drenaje fuente y voltaje de la puerta de escalonamiento.</li>
</ol>

<ol><li>Constantinou, M., Rigas, G. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Simultaneous+Tunable+Selection+and+Self-Assembly+of+Si+Nanowires+from+Heterogeneous+Feedstock%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Simultaneous Tunable Selection and Self-Assembly of Si Nanowires from Heterogeneous Feedstock.</a> ACS Nano. , (2016).</li>
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</ol>

Los autores confirman que no hay ningún conflicto de intereses.

La fabricación acertada y el rendimiento de los dispositivos dependen de varios factores claves. Estos incluyen nanocable densidad y distribución en la formulación, la elección del solvente, la frecuencia de DEP y el control del número de nanohilos presente en el dispositivo de electrodos1.
Uno de los pasos críticos en la realización de dispositivos de trabajo repetibles es la preparación de una formulación de nanocable sin clusters o grupos. La formulación puede ser so...

Controlable y reproducible ensamblaje de nanopartículas en lugares predefinidos del sustrato es uno de los principales retos en solución procesada electrónicos y fotónicos dispositivos utilizando nanopartículas semiconductoras o llevando a cabo. Para dispositivos de alto rendimiento, también es altamente beneficioso para poder seleccionar nanopartículas de tamaños preferenciales y propiedades electrónicas, como, por ejemplo, alta conductividad y baja densidad de Estados superficiales trampa. A pesar de progresos significativos en el crecimiento de nanomateriales, incluyendo materiales de nanocable y nanotubos, algunas variaciones de las propiedades de nanopartículas están siempre presentes, y un paso de selección puede mejorar significativamente el rendimiento de dispositivos basados en nanopartículas1 ,2.
El propósito del método DEP asistida por flujo demostrado en este trabajo es abordar los retos arriba mostrando el conjunto de nanohilos semiconductores controlables en contactos metálicos para transistores de efecto de campo de nanocable de alto rendimiento. DEP soluciona varios problemas de fabricación de dispositivos de nanocable en un solo paso, incluyendo colocación de nanohilos, orientación/alineación de nanohilos y selección de nanohilos con propiedades deseadas mediante DEP señal frecuencia selección1. DEP se ha utilizado para muchos otros dispositivos que van desde gas sensores3transistores1, y RF cambia4,5, a la colocación de las bacterias para análisis7.
DEP es la manipulación de partículas polarizables mediante la aplicación de un campo no uniforme resultando en nanohilos de uno mismo-montaje a través de los electrodos8. El método fue desarrollado originalmente para la manipulación de bacterias9,10 pero desde entonces se ha ampliado a la manipulación de nanohilos y nanomateriales.
Proceso de solución DEP de nanopartículas permite la fabricación de dispositivos semiconductores que difiere significativamente de las técnicas tradicionales de arriba-abajo basadas en múltiples photomasking, implantación iónica, temperatura alta14, recocido y decapado a unos pasos. DEP manipula nanopartículas que ya han sido sintetizadas, es una técnica de fabricación de baja temperatura, de abajo hacia arriba11. Este enfoque permite que los dispositivos de nanocable a gran escala montar en casi cualquier sustrato, incluyendo sustratos de plástico sensible a la temperatura, flexible6,12,13.
En este trabajo, transistores de efecto de campo de alto rendimiento p-tipo silicio nanocable se fabrican con DEP asistida por flujo, y se lleva a cabo la caracterización de corriente-voltaje de FET. Los nanohilos de silicio utilizados en este trabajo se cultivan mediante el método de Super líquido líquido sólido (SFLS)15,16. Los nanocables son intencionalmente dopados y son aproximadamente de 10-50 μm de longitud y 30-40 nm de diámetro. El método de crecimiento de SFLS es muy atractivo ya que puede ofrecer la industria cantidades escalables de nanocable materiales15. La metodología de montaje propuesto nanocable es directamente aplicable a otros materiales del semiconductor nanocable como InAs13, SnO23GaN18. La técnica también puede ser ampliada para alinear nanohilos conductores19 y colocar nanopartículas a través de electrodos huecos20.

<table><tbody><tr><td>Oblea de silicio/dióxido de silicio, crecimiento del método CZ, 100 mm de diámetro, &nbsp; 300 nm de crecimiento térmico de óxido, &nbsp; Fósforo n-dopado</td><td>Si-Mat (materiales de silicona)</td><td>-</td><td></td></tr><tr><td>http://si-mat.com/ Acetona (200 ml)</td><td>Sigma Aldrich</td> <td>W332615-Isopropanol</td><td></td></tr> <tr><td>(200 ml)</td><td>Sigma Aldrich</td><td></td> <td>W292907-Agua</td></tr> <tr><td>desionizada (150 ml)</td><td>Suministro in situ</td><td>-</td><td>-</td></tr><tr><td>Fotorresistencia (A) SF6 PMGI bajo fotograbado (aprox. 1 ml por muestra)</td><td>Microchem&nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/pdf/PMGI-Resists-data-sheetV-rhcedit-102206.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist (B) S1805 photoresit) (aprox. 1 ml por muestra)</td><td>Microchem&nbsp;</td><td>-</td><td>http://www.microchem.com/PDFs_Dow/S1800.pdf</td></tr><tr><td>Revelador fotorresistente Microposit&nbsp; MF319&nbsp; (100 ml)</td><td>Microchem&nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/products/images/uploads/MF_319_Data_Sheet.pdf</td></tr><tr><td>Removedor fotorresistente Microposit remover 1165 (300ml (2 baños de 150 cada uno))</td><td>Microchem&nbsp;</td><td>-</td><td>http://micromaterialstech.com/wp-content/dow_electronic_materials/datasheets/1165_Remover.pdf</td></tr></tbody></table>

asistida por flujo dielectroforesis: un método de bajo costo para la fabricación de dispositivos de nanocable procesables en solución de alto rendimiento

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Asistida por flujo dielectroforesis (DEP) es un eficiente método de automontaje para el controlable y reproducible posicionamiento, alineación y selección de nanohilos. DEP se utiliza para análisis de nanocable, caracterización y basado en la solución de fabricación de dispositivos semiconductores. El método funciona mediante la aplicación de un campo eléctrico alterno entre electrodos metálicos. La formulación de nanocable entonces se dejó caer en los electrodos que están en una superficie inclinada para crear un flujo de la formulación mediante gravedad. Los nanohilos entonces alinean a lo largo del gradiente del campo eléctrico y en la dirección del flujo del líquido. Puede ajustar la frecuencia del campo para seleccionar nanohilos con conductividad superior y menor densidad de trampa.
En este trabajo, DEP asistida por flujo se utiliza para crear nanocable transistores de efecto campo. DEP asistida por flujo tiene varias ventajas: permite selección de nanocable características eléctricas; control de la longitud de nanocable; colocación de los nanohilos en áreas específicas; control de orientación de nanohilos; y control de densidad de nanocable en el dispositivo.
La técnica puede ser ampliada a muchas otras aplicaciones como sensores de gas e interruptores de microondas. La técnica es eficiente, rápido, reproducible, y utiliza una cantidad mínima de solución diluida, lo que es ideal para la prueba de nuevos nanomateriales. Montaje de escala de oblea de los dispositivos de nanocable también se logra con esta técnica, que permite gran número de muestras para pruebas y aplicaciones electrónicas de gran superficie.

Bicapa Fotolitografía resultados en limpio agudamente definidos electrodos. En el ejemplo (figura 1A), estructura de dedo entre digitated fue utilizado con una longitud de canal de 10 μm. Estas estructuras permiten una amplia zona montar el número máximo de nanocables cuando se aplica la fuerza DEP. Figura 1B muestra un esquema de un dispositivo de nanocable FET de puerta inferior.
<p class="jove_content" fo:keep-together.wit...

En este papel, flujo dielectroforesis asistida se demuestran para el automontaje de dispositivos nanocable. La fabricación de un transistor de efecto de campo de nanocable de silicio se muestra como un ejemplo.

Asistida por flujo dielectroforesis: Un método de bajo costo para la fabricación de dispositivos de nanocable procesables en solución de alto rendimiento

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

El objetivo general de este procedimiento es demostrar el ensamblaje y la selección de nanocables semiconductores de alta calidad, incluida la fabricación de electrodos metálicos y el uso de estos electrodos en dielectroforesis asistida por flujo para crear transistores de efecto de campo de nanocables procesables en solución. Este método nos puede ayudar a resolver uno de los principales retos en el campo de la electrónica procesable en solución como es la colocación de nanomateriales semiconductores, el control de la pilación realizada y el entrenamiento en campo de nanohilos de calidad superior. La función principal de esta técnica es que es un método rápido y reproducible que se puede escalar a partir de la fabricación controlable de dispositivos basados en nanomateriales. Aunque este método puede proporcionar información sobre la alineación y selección de nanocables, también se puede aplicar en la alineación de nanotubos, nanocopos y nanomateriales en forma de cuchilla. La mayoría de los pasos de este protocolo se llevan a cabo en un entorno de sala limpia. Comience con una oblea de silicio/dióxido de silicio tipo N de cuatro pulgadas muy dopada. Utilice un escribano de diaman

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Dielectroforesis (DEP) es un método eficaz para manipular células. Placas de circuito impreso (PCB) puede proporcionar electrodos de bajo costo, reutilizables y eficaz para el contacto libre de la manipulación de células dentro de los dispositivos de microfluidos. Mediante la combinación de PDMS basado en canales de microfluidos con cubreobjetos sobre los PCB, se demuestra la manipulación de cuentas y la separación dentro de la célula y multicanal dispositivos de microfluídica.

Cuentas de la separación y las células en varios canales de dispositivos de microfluidos Con dielectroforesis y de flujo laminar

Se describe la fabricación de dispositivos y un protocolo de medición para biosensores de alta frecuencia basados ​​en nanotubos de carbono. La técnica de detección de alta frecuencia mitiga el efecto de apantallamiento iónica fundamental (de Debye) y permite nanotubo biosensor para ser operado en soluciones de elevada fuerza iónica donde biosensores electrónicos convencionales fallan. Nuestra tecnología ofrece una plataforma única para los puntos de atención (PDA) biosensores electrónicos que...

La fabricación de nanotubos de carbono de alta frecuencia Nanoelectrónica biosensor para la detección in High Solutions fuerza iónica

Dielectroforesis Contactless (CDEP) logra la clasificación y el enriquecimiento de las partículas a través de sus propiedades dieléctricas intrínsecas. Canales de electrodos Fluídicas reemplazar electrodos metálicos tradicionales para DEP, satisfaciendo CDEP para no dañar la caracterización estéril y clasificación de partículas biológicas. Demostramos cómo preparar un microdispositivo CDEP y llevar a cabo la caracterización de células y experimentos de clasificación.

Aislamiento libre de marca y el enriquecimiento de las células a través Contactless Dielectroforesis

Se presenta un método simple para la fabricación de una gama de densidad ultra alta de nanocables orgánicos de pequeña moleculares ordenados verticalmente. Este método permite la síntesis de complejas geometrías de nanocables híbridos heterostructured, que puede ser poco costosa cultivan en sustratos arbitrarias. Estas estructuras tienen potenciales aplicaciones en la electrónica orgánica, la optoelectrónica, sensores químicos, la energía fotovoltaica y espintrónica.

Ultra Alta Densidad conjunto de nanocables orgánicos pequeña moleculares verticalmente alineados sobre sustratos arbitrarias

Los nanohilos de plata pueden transportar simultáneamente electrones e información óptica en forma de plasmones de superficie. Aquí se describe un procedimiento para realizar un circuito compartido de este tipo y se evalúan las limitaciones en la propagación de ambos portadores de información.

Evaluación del transporte plasmónico en nanocables de plata portadores de corriente

Este protocolo demuestra cómo lograr la sensibilidad de detección femtomolar de proteínas en 10 μL de sangre total en 30 min. Esto se puede lograr mediante el uso de esteras nanofibrosas electrohiladas integradas en un laboratorio en un disco, que ofrece una gran área de superficie, así como una mezcla y un lavado efectivos para mejorar la relación señal-ruido.

Totalmente automatizada de dispositivos de microfluidos para centrífuga Ultrasensible detección de proteínas a partir de sangre entera

Proponemos una técnica simple de autoensamblaje de nanopartículas coloidales de sílice para crear una unión nanofluídica entre dos microcanales en polidimetilsiloxano (PDMS). Usando esta técnica, se construyó una membrana de perlas nanoporosas con un tamaño de poro de hasta ~ 45 nm dentro de un microcanal y se aplicó a la preconcentración electrocinética de muestras de ADN.

Creación de Sub-50 Nm nanofluídico uniones en PDMS microfluidos de chips VIA proceso de autoensamblaje de partículas coloidales

Este protocolo describe una estrategia de fabricación basada en soluciones para electrodos transparentes, flexibles y de alto rendimiento con malla metálica gruesa y totalmente incrustada. Los electrodos transparentes flexibles fabricados por este proceso demuestran entre los rendimientos más altos reportados, incluyendo resistencia de lámina ultrabaja, alta transmitancia óptica, estabilidad mecánica bajo flexión, adhesión de sustrato fuerte, suavidad superficial y estabilidad ambiental.

Estrategia escalable de fabricación procesada por soluciones para electrodos transparentes de alto rendimiento y flexibles con malla metálica integrada

El artículo pretende introducir un procedimiento de fabricación estándar y fiable para el desarrollo de futura nanoelectrónica dimensional bajo.

Un método estándar y fiable para la fabricación nanoelectrónica bidimensional

En este trabajo, describimos un protocolo para fabricar nanohilos de hierro, incluyendo la formación de la membrana de alúmina porosa que se utiliza como plantilla, electrodeposición en plantillas utilizando solución de electrolitos, y la liberación de los nanohilos en la solución.

Fabricación de Nanowire de Hierro de Aluminio Anodizado Nano-Porous y su Caracterización

Este protocolo describe un proceso sencillo que utiliza convenientes micromoldes de plástico para operaciones simples de microestampado para fabricar microcanales en papel de celulosa nanofibrilado, logrando un ancho mínimo de 200 μm.

Microestampado: un proceso conveniente para la fabricación de microcanales en microfluídica basada en papel de nanocelulosa

Aprende la fabricación de dispositivos de nanocable mediante dielectroforesis asistida por flujo. Este método de bajo costo permite el autoensamblaje eficiente de transistores de efecto campo de silicio para aplicaciones electrónicas avanzadas.

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Asistida por flujo dielectroforesis: Un método de bajo costo para la fabricación de dispositivos de nanocable procesables en solución de alto rendimiento

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