Fabrikasjon av Romlig Trange kompleks oksid

Summary

Vi beskriver bruk av pulset laser deponering (PLD), photolithography og wire-binding teknikker for å skape mikrometer skala komplekse oksider enheter. Den PLD utnyttes til å vokse epitaxial tynne filmer. Fotolitografi og wire-binding teknikker er innført for å skape praktiske enheter for måling formål.

Abstract

Komplekse materialer som høy Tc superledere, multiferroics og kolossale magnetoresistors har elektroniske og magnetiske egenskaper som oppstår fra de iboende sterke elektron korrelasjoner som bor i dem. Disse materialene kan også ha elektronisk fase separasjon i hvilke regioner av vesentlig forskjellig resistive og magnetisk atferd kan eksistere innenfor en enkelt krystall legering materiale. Ved å redusere omfanget av disse materialene for å lengdeskala på og under den iboende størrelsen av de elektroniske domener, kan nye virkemåter bli utsatt for. På grunn av dette og det faktum at spin-charge-gitter-orbital rekkefølge parametere hver innebære korrelasjon lengder, romlig redusere disse materialene for transport målinger er et kritisk punkt i å forstå den grunnleggende fysikken som driver komplekse atferd. Disse materialene tilbyr også et stort potensial til å bli den neste generasjonen av elektroniske enheter ^1-3. Således fabrikasjon av lav dimensjonal nano-ellermikro-strukturer er ekstremt viktig for å oppnå ny funksjonalitet. Dette innebærer flere kontrollerbare prosesser av høykvalitets tynnfilm vekst til nøyaktig elektronisk eiendom karakterisering. Her presenterer vi fabrikasjon protokoller av høy kvalitet mikrostrukturene for komplekse oksid manganite enheter. Detaljerte beskrivelser og nødvendig utstyr av tynnfilm vekst, foto-litografi, og wire-binding blir presentert.

Introduction

Den første og en av de viktigste trinnene mot høy kvalitet enheter er veksten av epitaxial oksid tynne filmer. En enkelt krystall substrat blir brukt som en "mal" å avsette målet materialer. Blant ulike deponering metoder, er pulset laser deponering (PLD) en av de beste måtene å skaffe seg gode tynne filmer ^4,5. Vekstprosesser involverer oppvarming av substratet til rundt 800 ° C i en oksygen-og miljø ved hjelp av laserpulser å treffe målet materiale og generere en fluks som skal avsettes på substratet. Det typiske system er vist i figur 1..

Mens unpatterned filmer blitt vist å avsløre eksotiske nye fysikk ^6, redusere film dimensjon gir flere muligheter til å utforske nye fenomener og enhet fabrikasjon. Fotolitografi kan brukes for å krympe i planet prøven dimensjon ned til størrelsesorden 1 mikrometer. Den detaljert protokoll av fotolitografi prosessen vilbli beskrevet nedenfor. Denne teknikken er kompatibel med de fleste brukte underlag som gjør det mulig for undersøkelser av innesperring effekter på epitaxial filmer holdt på ulike belastninger stater.

Siden mange komplekse oksider har interessante egenskaper ved lave temperaturer og / eller høye magnetiske felt, er den elektroniske forbindelsen mellom enheten og måleutstyr svært viktig. Høy kvalitet kontaktene kan være dannet ved å dampe Au kontaktputer i en 4-sonde geometri og med bruk av en wire bønder å lage forbindelser mellom elektrodene og måleinnretningen. Når det gjøres riktig, kan disse tilkoblingene lett tåle ekstreme måling miljøer innenfor store temperaturområder av 4 K til 400 K og magnetfelt varierer på opptil ± 9 T.

Protocol

En. Sample Vekst Fabrication Renhet en 5 mm x 5 mm x 0,5 mm enkeltkrystall-substrat som har en miscut vinkel <0,1 grad eksempel SrTiO 3 eller LaAlO 3 med aceton og deretter vann i et ultrasonisk renset i 10 min hver. For å få et TiO2 terminering 3 SrTiO, etse underlaget i 10% flussyre i 30 sekunder og skylling i vann i 1 minutt, etterfulgt av en gløde ved 1100 ° C i 10 timer. Etter rengjøring montere underlaget på et varmeapparat egnet for superhøye vakuum…

Representative Results

Denne artikkelen fokuserer hovedsakelig på fotolitografi og wire-binding aspekter av prøveopparbeidelse. Flere detaljer om film vekst prosedyrer kan finnes i våre andre nylige publikasjoner åtte. Fotolitografi er en viktig metode for å kontrollere dimensjonalitet i komplekse oksyder for det formål å undersøke korrelasjonen elektron lengder og elektronisk faseseparasjon 9-13. Figur 2 viser optiske bilder av partielle trinn under prosessen. Det er…

Discussion

I motsetning til ett ele halvledende materialer slik som Si, kan fremstillingen av komplekse materialer være mer vanskelig på grunn av det faktum at den komplekse struktur og flere elementer må alle tas i betraktning. Bruken av fotolitografi for å fremstille komplekse oksyd-enheter er forholdsvis lav kostnad og rask å prototype, i motsetning til andre innesperring teknikker. Det er imidlertid noen viktige begrensninger for å forstå. Photolithography har en romlig begrensning til å skape strukturer av ca 1 mikron…

Materials

			Reagent/Material
SrTiO3(001) & LaAlO3(100) substrates	CrysTec GmbH
Microposit S1813 Photoresist	Shipley
CD-26 Developer	Shipley	38490
GE varnish	Lakeshore	VGE-7031
			Equipment
Reflected High Energy Electron Diffraction (RHEED)	Staib Instruments		35 kV TorrRHEED
Mask Aligner	ABM	Model 85-3 (350 W) Lightsource
Resistivity Puck	Quantum Design	P102
Wire Bonder	Kulicke & Soffa	04524-0XDA-000-00