Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Chapitres
- 00:05Titre
- 01:21Etching of the Mesa
- 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
- 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
- 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
- 11:08Fabrication of the Bonding Pads
- 11:54Dicing of the Sample
- 12:50Bonding
- 13:07Results: Confirming Gate Integrity
- 15:14Conclusion
Эта статья представляет собой подробный протокол для изготовления ворот определенных полупроводниковых квантовых точек боковой на арсенид галлия гетероструктур. Эти наноразмерных устройств используются для захвата нескольких электронов для использования в качестве квантовых битов в квантовой обработки информации или для других экспериментов мезоскопическим таких как когерентные измерения проводимости.
