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Chapitres
- 00:05Titre
- 01:21Etching of the Mesa
- 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
- 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
- 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
- 11:08Fabrication of the Bonding Pads
- 11:54Dicing of the Sample
- 12:50Bonding
- 13:07Results: Confirming Gate Integrity
- 15:14Conclusion
En este trabajo se presenta un protocolo detallado para la fabricación de puertas definidas por puntos cuánticos semiconductores laterales en heteroestructuras de arseniuro de galio. Estos dispositivos a nanoescala se utilizan para atrapar a pocos electrones para su uso como bits cuánticos en el procesamiento de información cuántica o de otros experimentos mesoscópicas tales como mediciones de conductancia coherentes.
