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In Situ in funzione del tempo di rottura dielettrico nel Transmission Electron Microscope: A Con possibilità di capire il meccanismo Fallimento in dispositivi microelettronici
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In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices
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In Situ in funzione del tempo di rottura dielettrico nel Transmission Electron Microscope: A Con possibilità di capire il meccanismo Fallimento in dispositivi microelettronici

DOI:
10.3791/52447-v

•

09:26 min

•

June 26, 2015

•

, , , , , , , , , , ,
1Fraunhofer Institute for Ceramic Technologies and Systems, 2Dresden Center for Nanoanalysis,Technische Universität Dresden, 3Globalfoundries Fab 8, 4Globalfoundries Fab 1

Chapitres

  • 00:05Titre
  • 01:35Sample Preparation
  • 02:30Focused Ion Beam Thinning in a Scanning Electron Microscope
  • 03:53Sample Transfer to the Transmission Electron Microscope
  • 04:29Establishing the Electrical Connection
  • 05:19In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown Experiment
  • 06:50Computed Tomography
  • 07:22Results: Failure Mechanism in Microelectronic Devices
  • 08:34Conclusion

Summary

Traduction automatique

Traduction automatique

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. This paper demonstrates the procedure of an in situ TDDB experiment in the transmission electron microscope, which opens a possibility to study the failure mechanism in microelectronic products.

Tags

Keywords: Time-dependent Dielectric BreakdownTDDBTransmission Electron MicroscopeIn SituInterconnect StacksMicroelectronic DevicesFailure MechanismsDegradation KineticsCu/ULKElectron TomographyDirected Cu Diffusion

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