/
/
Effect van Buigen op de elektrische eigenschappen van flexibele organische Single Crystal-gebaseerde field-effect transistors
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Chapitres
- 00:05Titre
- 00:43Grow Single Crystals of TCDAP Using a Physical Vapor Transfer (PVT) System
- 01:43Device Fabrication
- 04:09Measure the Performance of the Device and Bending Experiments
- 05:32Results: Measuring Properties of Bent Organic Electronic Devices
- 06:38Conclusion
Dit manuscript beschrijft het buigproces van een organisch monokristallijn gebaseerde veldeffecttransistor een functionerende inrichting voor het meten van de eigenschappen elektronische handhaven. De resultaten suggereren dat veroorzaakt buiging in molecuulstructuur tussenruimte in het kristal en dus de lading hopdosering, wat belangrijk is in flexibele elektronica.
