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Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

assistido por plasma Molecular Beam Epitaxy de N-polar InAlN barreiras Transistores de alta electron-mobility

DOI:
10.3791/54775-v

•

10:31 min

•

November 24, 2016

•

, , , , ,
1NRC Postdoctoral Scholar,Naval Research Laboratory, 2Electronics Science and Technology Division,Naval Research Laboratory

Chapitres

  • 00:05Titre
  • 00:53RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
  • 04:36N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
  • 08:03Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
  • 09:30Conclusion

Summary

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epitaxia de feixe molecular é usado para crescer N-polares transistores InAlN barreiras high-elétron-de mobilidade (HEMTs). Controle da preparação wafer, condições de crescimento camada e estrutura epitaxial resulta em camadas, InAlN de composição homogênea suaves e HEMTs com mobilidade tão alto quanto 1.750 cm2 / V ∙ sec.

Tags

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyN-polar InAlN-barrier High-electron-mobility TransistorsSemiconductor MaterialsWide Bandgap TransistorsGallium Nitride SubstrateOutgassingSubstrate Transfer

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