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Preparazione di grande superficie 2D cristallo etero-strutture verticali attraverso il Sulfurization di film di metalli di transizione per la fabbricazione di dispositivi
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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
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Preparazione di grande superficie 2D cristallo etero-strutture verticali attraverso il Sulfurization di film di metalli di transizione per la fabbricazione di dispositivi

DOI:
10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

, , ,
1Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, 2Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, 3Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Chapitres

  • 00:05Titre
  • 00:47WS2/MoS2Vertical Heterostructure Growth
  • 03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
  • 06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
  • 08:11Conclusion

Summary

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Attraverso il sulfurization pre-depositati dei metalli di transizione, etero-strutture di grande superficie e verticale 2D cristallo possono essere fabbricate. La pellicola di trasferimento e procedure di fabbricazione del dispositivo sono anche dimostrate in questo rapporto.

Tags

2D Crystal HeterostructuresVertical 2D MaterialsSulfurizationTransition Metal FilmsDevice FabricationRF SputteringSapphire SubstrateMolybdenum TargetSulfur PowderTube FurnaceArgon GasMolybdenum DisulfideTungsten Target

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