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सभी इलेक्ट्रॉनिक Nanosecond-हल स्कैनिंग सुरंग माइक्रोस्कोपी: एकल Dopant प्रभारी गतिशीलता की जांच की सुविधा
Journal JoVE
Ingénierie
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Journal JoVE Ingénierie
All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
DOI:

11:33 min

January 19, 2018

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Chapitres

  • 00:05Titre
  • 00:52Initial Setup of Microscope and Experiments
  • 02:05Preparation of the H-Si(100)-(2×1) Reconstruction
  • 04:20Assessing the Quality of the Pump-probe Pulses at the Tunnel Junction
  • 06:32Experiment 1: Time-resolved Scanning Tunneling Spectroscopy
  • 07:55Experiment 2: Time-resolved STM Measurements of Relaxation Dynamics
  • 08:47Experiment 3: Time-resolved STM Measurements of Excitation Dynamics
  • 09:27Results: Investigation of Single Dopant Change Dynamics
  • 10:43Conclusion

Summary

Traduction automatique

हम एक सभी इलेक्ट्रॉनिक विधि nanosecond का निरीक्षण करने के लिए प्रदर्शन-एक स्कैनिंग सुरंग माइक्रोस्कोप के साथ सिलिकॉन में dopant परमाणुओं के आरोप गतिशीलता का समाधान ।

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