Journal
/
/
פקד שדה חשמלי של הברית אלקטרונית ב- WS Nanodevices2 מאת אלקטרוליט Gating
Journal JoVE
Ingénierie
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu.  Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Journal JoVE Ingénierie
Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating
DOI:

10:36 min

April 12, 2018

, , , , , , ,

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:38Dispersion of WS2 Nanotubes (NTs) on a Si/SiO2 Substrate
  • 01:35Application of WS2 Flakes to a Si/SiO2 Substrate with the Tape Method
  • 02:28Device Fabrication by Electron Beam Lithography
  • 05:59Electrode Deposition
  • 07:17Device Completion and Transport Measurements
  • 08:31Results: Transistor Operations of WS2 Nanotube and Flake Devices
  • 09:56Conclusion

Summary

Traduction automatique

כאן, אנו מציגים פרוטוקול כדי לקבוע את מספר הספק במוצקים באמצעות האלקטרוליט.

Vidéos Connexes

Read Article