/
/
Fabrikation af fleksible billedsensor baseret på Lateral RAFNS Phototransistors
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Chapitres
- 00:05Titre
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
Vi præsenterer en detaljeret metode til at fabrikere en deformerbare laterale RAFNS phototransistor array for buede billedsensorer. Phototransistor array med en åben mesh form, som er sammensat af tynde silicium øer og elastisk metal samkøringslinjer, giver fleksibilitet og strækbarhed. Parameter analyzer karakteriserer den opdigtede phototransistor elektriske ejendom.
