/
/
Tillverkning av flexibla bildsensor baserat på laterala ANNALENA Phototransistors
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Chapitres
- 00:05Titre
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
Vi presenterar en detaljerad metod för att fabricera en deformerbar laterala ANNALENA fototransistor matris för böjda bildsensorer. Fototransistor matrisen med en öppna maskor bildar, som består av tunna kisel öar och töjbart metall sammanlänkningar, ger flexibilitet och töjbarhet. Parametern analysatorn karakteriserar den fabricerade fototransistor elektriska egendom.
