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制造二维电子学的标准可靠方法

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Ingénierie

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A Standard and Reliable Method to Fabricate Two-Dimensional Nanoelectronics

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制造二维电子学的标准可靠方法

DOI:

10.3791/57885-v

•

07:12 min

•

August 28, 2018

•

Kristan Bryan C Simbulan, Po-Chun Chen², Yun-Yan Lin², Yann-Wen Lan²

¹Department of Physics,National Taiwan Normal University, ²National Applied Research Laboratories (NARL),National Nano Device Laboratories (NDL)

Chapitres

00:04Titre
00:49Fabrication of 2D Back-Gated Transistors
04:41Results: Characterization of the MoS₂ Monolayer Device
05:49Conclusion

Summary

Traduction automatique

本文旨在为未来低维电子学的开发提供一个标准可靠的制造程序。

Tags

Keywords: 2D Nanoelectronics Fabrication 2D Materials Molybdenum Disulfide PMMA Electron-beam Lithography Substrate Preparation Device Fabrication

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