/
/
Однозначных нанометр электронно лучевая литография с исправления аберраций сканирования просвечивающий электронный микроскоп
This content is Free Access.
Chapitres
- 00:04Titre
- 01:03Sample Preparation for Resist Coating
- 02:27Load Sample in STEM, Map Window Coordinates, and Perform High-Resolution Focusing
- 04:54Expose Patterns Using an Aberration-Corrected STEM Equipped with a Pattern Generator System
- 06:44Resist Development and Critical Point Drying
- 08:09Results: Nanometer-Scale Lithographic Patterns in HSQ and PMMA (Positive and Negative Tone)
- 09:14Conclusion
Мы используем аберрация исправлениями сканирования просвечивающий электронный микроскоп для определения шаблонов однозначным нанометров в двух широко используется электронно лучевые сопротивляется: поли (метилметакрилат) и водорода силсесквиоксанов. Противостоять шаблоны могут быть реплицированы в целевой материалы по выбору с верностью однозначным нанометр с помощью liftoff, плазменного травления и сопротивляться проникновению синтезированы.
