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神経成長因子のキャリアとしてポーラス シリコン膜の設計
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Designing Porous Silicon Films as Carriers of Nerve Growth Factor
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神経成長因子のキャリアとしてポーラス シリコン膜の設計

DOI:
10.3791/58982-v

•

10:12 min

•

January 25, 2019

•

, , ,
1Department of Biotechnology and Food Engineering,Technion – Israel Institute of Technology, 2Faculty of Engineering,Bar-Ilan University, 3Bar-Ilan Institute of Nanotechnologies and Advanced Materials, 4Russell Berrie Nanotechnology Institute,Technion – Israel Institute of Technology

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:57Oxidized Porous Silicon (PSiO2) Carrier Fabrication
  • 02:10Nerve Growth Factor (NGF) Loading and Quantification and In Vitro NGF Release from PSiO2 Carriers
  • 04:42Cell Viability and Growth in the Presence of NGF-Loaded PSiO2 Carriers
  • 06:00Cell Differentiation Analysis
  • 07:27Results: Representative Effects of NGF-Loaded PSiO2 Carriers on Neuronal Growth and Development
  • 08:58Conclusion

Summary

Traduction automatique

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ここでは、デザインし、神経成長因子 (NGF) の分解性キャリアとしてポーラス シリコン (PSi) 膜のナノ構造を作製するためのプロトコルを提案する.神経分化・ PC12 細胞およびマウス後根神経節 (DRG) ニューロンの伸長は PSi の NGF ロード キャリアと特徴付けられます。

Tags

Keywords: Porous SiliconNerve Growth FactorNGFCarrierBioactive ProteinReservoir ImplantFabrication ProcessElectrochemical EtchingThermal OxidationLoading SolutionELISA

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