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Portador de por vida medidas en semiconductores a través del método de decaimiento de fotoconductividad de microondas
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Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method
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Portador de por vida medidas en semiconductores a través del método de decaimiento de fotoconductividad de microondas

DOI:
10.3791/59007-v

•

07:38 min

•

April 18, 2019

•

, ,
1Department of Electrical & Mechanical Engineering,Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science,Nagoya Institute of Technology

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:49Preparation of the Sample and Aqueous Solutions
  • 01:44Preparation of the Measuring Equipment
  • 03:36Measurement and Data Processing
  • 05:47Results: Normalized and Calculated μ-PCD Decay Curves for the n-type 4H-SIC Sample in Air and Aqueous Solutions
  • 06:29Conclusion

Summary

Traduction automatique

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Como uno de los parámetros físicos importantes en semiconductores, vida de portador se mide aquí mediante un protocolo que emplea el método de decaimiento de fotoconductividad de microondas.

Tags

Keywords: Carrier LifetimeSemiconductorMicrowave Photoconductivity DecayMicro-PCD4H Silicon CarbideAqueous SolutionPulsed LaserPhotodiodeOscilloscopeMicrowave WaveguideSchottky Barrier DiodeGun Diode

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