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Demonstration der Gleich-Intensitätsstrahlerzeugung durch dielektrische Metaoberflächen
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Demonstration of Equal-Intensity Beam Generation by Dielectric Metasurfaces
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Demonstration der Gleich-Intensitätsstrahlerzeugung durch dielektrische Metaoberflächen

DOI:
10.3791/59066-v

•

09:33 min

•

June 07, 2019

•

, ,
1Department of Mechanical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 2Department of Chemical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 3National Institute of Nanomaterials Technology (NINT)

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:52Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
  • 01:35Formation of the Chromium Etching Mask
  • 06:53Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon
  • 07:41Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent
  • 08:31Conclusion

Summary

Traduction automatique

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Ein Protokoll zur Herstellung und optischen Charakterisierung von dielektrischen Metaoberflächen wird vorgestellt. Diese Methode kann nicht nur auf die Herstellung von Strahlsplittern, sondern auch von allgemeinen dielektrischen Metaoberflächen wie Linsen, Hologrammen und optischen Umhängen angewendet werden.

Tags

Metasurface FabricationDielectric MetasurfaceEqual-intensity Beam GenerationPECVDPMMAElectron Beam LithographySilicon Photonics

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