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Dimostrazione di generazione di travi a uguale intensità da parte di metasuperfici dielettriche
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Demonstration of Equal-Intensity Beam Generation by Dielectric Metasurfaces
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Dimostrazione di generazione di travi a uguale intensità da parte di metasuperfici dielettriche

DOI:
10.3791/59066-v

•

09:33 min

•

June 07, 2019

•

, ,
1Department of Mechanical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 2Department of Chemical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 3National Institute of Nanomaterials Technology (NINT)

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:52Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
  • 01:35Formation of the Chromium Etching Mask
  • 06:53Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon
  • 07:41Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent
  • 08:31Conclusion

Summary

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Viene presentato un protocollo per la fabbricazione e la caratterizzazione ottica delle metasuperfici dielettriche. Questo metodo può essere applicato alla fabbricazione non solo di splitter di fascio, ma anche di metasuperfici dielettriche generali, come lenti, ologrammi e mantelli ottici.

Tags

Metasurface FabricationDielectric MetasurfaceEqual-intensity Beam GenerationPECVDPMMAElectron Beam LithographySilicon Photonics

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