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Demonstração da geração de feixe de intensidade igual por Metasurfaces dielétricas
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Chapitres
- 00:04Titre
- 00:52Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
- 01:35Formation of the Chromium Etching Mask
- 06:53Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon
- 07:41Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent
- 08:31Conclusion
Um protocolo para a fabricação e a caracterização ótica de superfícies dielétricas é apresentado. Este método pode ser aplicado à fabricação de não somente divisores do feixe, mas igualmente dos metasurfaces dielétrico gerais, tais como lentes, hologramas, e os Cloaks óticos.
