Journal
/
/
Демонстрация поколения равной интенсивности луча диэлектрическими метаповерхностями
Journal JoVE
Ingénierie
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu.  Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Journal JoVE Ingénierie
Demonstration of Equal-Intensity Beam Generation by Dielectric Metasurfaces
DOI:

09:33 min

June 07, 2019

, ,

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:52Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
  • 01:35Formation of the Chromium Etching Mask
  • 06:53Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon
  • 07:41Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent
  • 08:31Conclusion

Summary

Traduction automatique

Представлен протокол изготовления и оптической характеристики диэлектрических метаповерхностей. Этот метод может быть применен к изготовлению не только пучковых сплиттеров, но и общих диэлектрических метаповерхностей, таких как линзы, голограммы и оптические плащи.

Vidéos Connexes

Read Article