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Journal
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Ingénierie
/
Mg
3
N
2
및 Zn 3 N
2
박막의 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시 성장
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Ingénierie
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Ingénierie
Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg
3
N
2
and Zn
3
N
2
Thin Films
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Mg
3
N
2
및 Zn 3 N
2
박막의 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시 성장
DOI:
10.3791/59415-v
•
13:05 min
•
May 11, 2019
•
Peng Wu
,
Thomas Tiedje
1
Department of Electrical and Computer Engineering
,
University of Victoria
Chapitres
00:00
Titre
00:57
MgO Substrate Preparation
01:50
Operation of VG V80 MBE
02:13
Substrate Loading
04:04
Metal Flux Measurements
05:59
Nitrogen Plasma
06:51
In-situ Laser Light Scattering
08:35
Growth Rate Determination
09:13
Résultats
10:46
Conclusion
Summary
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이 문서는 질소 소스 및 광학 성장 모니터링으로 N
2
가스와 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시에 의해 MgO 기판에 Mg
3
N
2
및 Zn
3
N
2의
에피택시 필름의 성장을 설명합니다.
Tags
Keywords: Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
Mg3N2
Zn3N2
II-V Compound Semiconductors
Anti-bixbyite Crystal Structure
MBE Growth
MgO Substrate
High-temperature Annealing
RHEED
Quartz Crystal Microbalance
Sample Degassing
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