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Crescita Epitaxy del fascio molecolare assistita dal plasma di Mg3N2 en 3N2 Thin Films
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Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films
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Crescita Epitaxy del fascio molecolare assistita dal plasma di Mg3N2 en 3N2 Thin Films

DOI:
10.3791/59415-v

•

13:05 min

•

May 11, 2019

•

,
1Department of Electrical and Computer Engineering,University of Victoria

Chapitres

  • 00:00Titre
  • 00:57MgO Substrate Preparation
  • 01:50Operation of VG V80 MBE
  • 02:13Substrate Loading
  • 04:04Metal Flux Measurements
  • 05:59Nitrogen Plasma
  • 06:51In-situ Laser Light Scattering
  • 08:35Growth Rate Determination
  • 09:13Résultats
  • 10:46Conclusion

Summary

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Questo articolo descrive la crescita delle pellicole epitassiali di Mg3N2 e n3N2 sui substrati MgO mediante epitassia molecolare assistita da plasma con gas N2 come fonte di azoto e monitoraggio della crescita ottica.

Tags

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyMg3N2Zn3N2II-V Compound SemiconductorsAnti-bixbyite Crystal StructureMBE GrowthMgO SubstrateHigh-temperature AnnealingRHEEDQuartz Crystal MicrobalanceSample DegassingSample Transfer

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