Journal
/
Chimie
/
Влияние параметров анодизации на диэлектрический слой оксида алюминия тонкопленочных транзисторов
Journal JoVE
Chimie
Author Produced
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu.  Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Journal JoVE Chimie
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Влияние параметров анодизации на диэлектрический слой оксида алюминия тонкопленочных транзисторов

DOI:
10.3791/60798-v

•

12:32 min

•

May 24, 2020

•

, , , ,
1School of Technology and Sciences,São Paulo State University – UNESP, 2Scholl of Electronic Engineering,Bangor University, 3Institute of Geosciences and Exact Sciences,São Paulo State University – UNESP

Chapitres

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Résultats
  • 11:22Conclusion

Summary

Traduction automatique

Traduction automatique

Параметры анодирования для роста диэлектрического слоя оксида алюминия тонкопленочных транзисторов (ТФТ) изменяются для определения влияния на электрические параметры. Анализ дисперсии (ANOVA) применяется к разработке экспериментов Plackett-Burman (DOE) для определения производственных условий, которые приводят к оптимизации производительности устройства.

Tags

Aluminum OxideAnodizationThin-film TransistorsDielectric LayerElectrolytic SolutionSubstrate CleaningAluminum Electrode DepositionAnodization ProcessElectrical CharacterizationPlackett-Burman Design Of Experiments

Article

Embed

AJOUTER À LA PLAYLIST

Usage Statistics

Vidéos Connexes

Фотохимические Окислительный Рост Iridium наночастиц оксида на CdSe @ CdS наностержней

Эпитаксиального роста перовскита титаната стронция на германии с помощью атомного слоя осаждения

Влияние межфазного химического связывания в TiO<sub> 2</sub> -SiO<sub> 2</sub> Композиты на их фотокаталитической эффективности по снижению выбросов NOx

Химический синтез пористых бария титаната тонкой пленки и тепловой стабилизации сегнетоэлектрических фазы, пористость индуцированной штамм

Эффект зарядки и разрядки железа фосфат графит лития при разных температурах на деградации

Воздействие ультрафиолетового излучения на ванна химического осаждения кристаллов хлорид кадмия Bis(thiourea) и последующее получение компакт-дисков

Solvothermal синтез MIL-96 и UiO-66-NH2 атомного слоя на хранение окиси металла покрытия волокно коврики

Подготовка на основе Polyoxometalate фото гибкой мембраны для фото активации катализаторов оксид марганца

Извлечение лигнина с высоким содержанием β-O-4 мягкая этанола добычи и его влияние на урожайность деполимеризации

Электрохимическое грубое промывка тонкопленочных платиновых макрои и микроэлектродов

Read Article