Viene presentato un protocollo per l'imprinting chimico assistito da metallo di caratteristiche di microscala 3D con precisione di forma inferiore a 20 nm in wafer di silicio solidi e porosi.

Nanoimprinting elettrochimico assistito da metalli di wafer di silicio poroso e solido

•

•

•

Chapitres

Summary

Traduction automatique

Tags

Article

Embed

AJOUTER À LA PLAYLIST

Usage Statistics

Vidéos Connexes

Nanomoulding di materiali funzionali, un modello versatile complementare replica Metodo di nanoimprinting

Fabbricazione di VB<sub> 2</sub> / Air Cells per Elettrochimica Testing

Monostrato Contatto doping di silicio superfici e nanofili Uso organofosforici Composti

Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding

Protocollo di elettrochimica di test e caratterizzazione di aprotico Li-O<sub> 2</sub> Batteria

Emissione spettroscopica Boundary Investigation strato durante ablativo Material Testing in Plasmatron

Elettrochimica Acquaforte e caratterizzazione di punte acuminate campo di emissione per impatto elettronico di ionizzazione

Fabbricazione di White Light-emitting cellule elettrochimiche con emissione stabile da ecciplessi

Metodi sperimentali per la spettroscopia di fotoemissione risolta di Spin e angolo combinato con polarizzazione-variabile Laser

Una piattaforma con punta di silicio di rilevamento in fibra ottica ad alta risoluzione e risposta veloce

Read Article