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使用二次离子质谱法重建分离杂质的 3D 深度剖面
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3D Depth Profile Reconstruction of Segregated Impurities Using Secondary Ion Mass Spectrometry
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使用二次离子质谱法重建分离杂质的 3D 深度剖面

DOI:
10.3791/61065-v

•

07:10 min

•

April 29, 2020

•

, , , ,
1Łukasiewicz Research Network-Institute of Electronic Materials Technology

Chapitres

  • 00:00Introduction
  • 00:57Defect Selective Etching
  • 02:09Scanning Electron Microscopy
  • 02:50Secondary Ion Mass Spectrometry
  • 05:34Results: Oxygen Counts in a Cuboid
  • 06:29Conclusion

Summary

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所提出的方法描述了如何识别和解决与二次离子质谱相关的测量伪影，以及如何获得固态材料中杂质/掺杂剂的真实 3D 分布。

Tags

3D Depth ProfileSegregated ImpuritiesSecondary Ion Mass SpectrometrySemiconductor TechnologyStructural DefectsEutectic MixtureDefect-selective EtchingGallium NitrideScanning Electron MicroscopySIMS Calibration

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