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使用二次离子质谱法重建分离杂质的 3D 深度剖面
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Chimie
3D Depth Profile Reconstruction of Segregated Impurities Using Secondary Ion Mass Spectrometry
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使用二次离子质谱法重建分离杂质的 3D 深度剖面
DOI:
10.3791/61065-v
•
07:10 min
•
April 29, 2020
•
Paweł Piotr Michałowski
,
Sebastian Zlotnik
,
Iwona Jóźwik
,
Adrianna Chamryga
,
Mariusz Rudziński
1
Łukasiewicz Research Network-Institute of Electronic Materials Technology
Chapitres
00:00
Introduction
00:57
Defect Selective Etching
02:09
Scanning Electron Microscopy
02:50
Secondary Ion Mass Spectrometry
05:34
Results: Oxygen Counts in a Cuboid
06:29
Conclusion
Summary
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Traduction automatique
所提出的方法描述了如何识别和解决与二次离子质谱相关的测量伪影,以及如何获得固态材料中杂质/掺杂剂的真实 3D 分布。
Tags
3D Depth Profile
Segregated Impurities
Secondary Ion Mass Spectrometry
Semiconductor Technology
Structural Defects
Eutectic Mixture
Defect-selective Etching
Gallium Nitride
Scanning Electron Microscopy
SIMS Calibration
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