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Ricostruzione del profilo di profondità 3D di impurità segregate utilizzando la spettrometria di massa a ioni secondari
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Journal JoVE Chimie
3D Depth Profile Reconstruction of Segregated Impurities Using Secondary Ion Mass Spectrometry
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Ricostruzione del profilo di profondità 3D di impurità segregate utilizzando la spettrometria di massa a ioni secondari

DOI:
10.3791/61065-v

•

07:10 min

•

April 29, 2020

•

, , , ,
1Łukasiewicz Research Network-Institute of Electronic Materials Technology

Chapitres

  • 00:00Introduction
  • 00:57Defect Selective Etching
  • 02:09Scanning Electron Microscopy
  • 02:50Secondary Ion Mass Spectrometry
  • 05:34Results: Oxygen Counts in a Cuboid
  • 06:29Conclusion

Summary

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Il metodo presentato descrive come identificare e risolvere artefatti di misura relativi alla spettrometria di massa di ioni secondari e ottenere distribuzioni 3D realistiche di impurità/droganti nei materiali allo stato solido.

Tags

3D Depth ProfileSegregated ImpuritiesSecondary Ion Mass SpectrometrySemiconductor TechnologyStructural DefectsEutectic MixtureDefect-selective EtchingGallium NitrideScanning Electron MicroscopySIMS Calibration

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