本プロトコルは、ガス堆積および水溶液反応 による 表面改質のための処理中にシリコン平面皮質内微小電極を処理するためのツールを記述する。手順全体を通してデバイスを処理するために使用されるコンポーネントのアセンブリが詳細に説明されています。