Summary

In detail Analyses LEDs door een combinatie van X-ray Computed Tomography (CT) en lichtmicroscopie (LM) gecorreleerd met Scanning Electron Microscopy (SEM)

Published: June 16, 2016
doi:

Summary

Een workflow voor een uitgebreide micro-karakterisering van actieve optische apparaten wordt geschetst. Bevat structurele en functionele onderzoeken door middel van CT, LM en SEM. De werkwijze is aangetoond voor een witte LED die nog steeds kan worden gebruikt als er karakterisatie.

Abstract

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of micro-characterization, plays an important role. Commonly, different techniques like X-ray computed tomography (CT), light microscopy (LM) and scanning electron microscopy (SEM) are used separately. Similarly, the results have to be treated for each technique independently. Here a comprehensive study is shown which demonstrates the potentials leveraged by linking CT, LM and SEM. In depth characterization is performed on a white emitting LED, which can be operated throughout all characterization steps. Major advantages are: planned preparation of defined cross sections, correlation of optical properties to structural and compositional information, as well as reliable identification of different functional regions. This results from the breadth of information available from identical regions of interest (ROIs): polarization contrast, bright and dark-field LM images, as well as optical images of the LED cross section in operation. This is supplemented by SEM imaging techniques and micro-analysis using energy dispersive X-ray spectroscopy.

Introduction

Dit artikel toont de mogelijkheden en voordelen van een combinatie van X-ray computertomografie (CT) met correlatieve licht- en elektronenmicroscopie (CLEM) voor de voorbeeldige diepgaande karakterisering van light emitting diodes (LED). Met deze techniek is het mogelijk om de micro bereiding van de LED plannen zodanige wijze dat terwijl een dwarsdoorsnede microscopisch kan worden afgebeeld de elektrische functionaliteit behoudt in de rest van het monster. De procedure heeft een aantal unieke kenmerken: ten eerste, de geplande micro voorbereiding door middel van de geleverde volume van het gehele monster verkregen door CT; ten tweede, de waarneming van de LED met lichtmicroscopie (LM) met de volledige verscheidenheid aan beeldvormende technieken (licht en donker veld, polarisatie contrast, etc.); ten derde, observatie van de LED in bediening door LM; ten vierde, de observatie van dezelfde regio's met het volledige scala aan elektronenmicroscopie beeldvormende technieken bestaande uit secundaire eLectron (SE) en back scatter elektronen (BSE) beeldvorming, evenals energie-dispersieve X-stralen fluorescentie spectroscopie (EDX).

LEDs voor verlichting toepassingen zijn ontworpen om wit licht uitstralen, maar in bepaalde toepassingen kleur variabiliteit gunstig kan zijn. Deze brede emissie kan niet worden bereikt door uitlaatgassen van een samengestelde halfgeleider, omdat LEDs zenden straling in een smalle spectrale band (circa 30 nm maximale volle breedte half (FWHM)). Daarom wit LED-licht wordt meestal gegenereerd door de combinatie van een blauwe LED met fosfor die op de korte golflengte straling over een groot spectrum 1 om te zetten in brede emissie. Kleurvariabelen ledoplossingen gewoonlijk gebruik van ten minste drie primaire kleuren, die over het algemeen in hogere marktprijzen maken. 2

Het gebruik van hetzij CT, LM of SEM is natuurlijk bekend is (bijvoorbeeld in foutanalyse voor LEDs 3-15), maar dealomvattende en doelgerichte combinatie van alle drie de technieken die hier beschreven, kan nieuwe inzichten bieden en sneller tracks in de richting van zinvolle karakterisering resultaten mogelijk te maken.

Uit 3d microstructurele analyse van het verpakte inrichting CT de gebieden van belang (ROI) kunnen worden geïdentificeerd en geselecteerd. Met deze niet-destructieve methode kunnen elektrische verbindingen worden geïdentificeerd en beschouwd voor verdere bereiding. De precieze bereiding van een 2D-doorsnede laat onderzoeken van de werkende inrichting ondanks het destructieve karakter van deze werkwijze. De doorsnede kan nu worden gekarakteriseerd door CLEM 16,17 die een zeer efficiënte en flexibele karakterisering identieke ROI maakt LM en SEM. Door deze benadering kunnen de voordelen van zowel microscopische technieken worden gecombineerd. Zo wordt een snelle identificatie van ROI's in de LM gevolgd door een hoge-resolutie beeldvorming in de SEM. Maar bovendien de correlatie van informatieLM (bijvoorbeeld kleur, optische eigenschappen, deeltjesgrootte distributie) met de visualisatie en analysetechnieken van de SEM (bijvoorbeeld deeltjesgrootte, oppervlaktemorfologie, elementdistributie) kan meer inzicht in functionele en microstructuur bij een witte LED.

Protocol

1. Monstervoorbereiding voor X-ray Computed Tomography (CT) Lijm monster (LED zie materialen sectie) een 2 mm Ø holle carbon staaf van geschikte lengte met behulp smeltlijm. Stel de positie van het monster met behulp van een heteluchtpistool indien nodig. Bevestig het monster in de CT-monsterkamer met behulp van de drie-klauwplaat. 2. CT meetopstelling Voeren opwarming en centrering procedures volgens de besturingssoftware van de röntgenbuis. …

Representative Results

Het kenmerk LED weergegeven in figuur 1. Het is een wit emitterende LED-chip met een afmeting van 1 x 1 mm en 2 een gedeeltelijk keramische luminescerende kleur converter. Lijmen van de LED in een enigszins schuine stand op een koolstofvezel bar vermijdt CT artefacten veroorzaakt door monster symmetrie (Figuur 2). Resultaten van de meting mogelijk maken CT planning van de positie van de dwarsdoorsnede van het monster en waarborgt de elektrisch…

Discussion

De voordelen van deze multimodale benadering bestaan ​​uit de locatie-afhankelijke correlatie van de verkregen gegevens. De multimodale aanpak hier beschreven moet worden afgezet in de daaropvolgende analyses met elke techniek afzonderlijk. Zo kan luminescentie eigenschappen toegankelijk in LM gekoppeld op samenstellingen zoals gedetecteerd met SEM / EDS. De hoeveelheid informatie die door CT kan worden uitgebreid met diepgaande analyses van doorsneden voorbereid op een gerichte manier. CT data ook snel de locatie v…

Divulgazioni

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

De auteurs vriendelijk erkennen financiële steun van de "Akademische Gesellschaft Lippstadt" alsook van het "Ministerium für Innovation, Wissenschaft und Forschung des Landes Nordrhein-Westfalen". Foto's in de figuren 1, 2 en 5 met dank aan Markus Horstmann, Hamm-Lippstadt University of Applied Sciences.

Materials

X-Ray Computer Tomograph General Electric not applicable type: nanotom s research edition
acquisition software General Electric not applicable phoenix Datos| x2 acquisition and corresponding manual
reconstruction software General Electric not applicable phoenix Datos| x2 acquisition and corresponding manual
rendering software Volume Graphics not applicable VGStudio Max 2.2 and corresponding manual
grinder (manual) Struers 5296327 Labopol 21
sample holder Struers 4886102 UniForce
grinder (automated) Struers 6026127 Tegramin 25
epoxy resin/hardener Struers 40200030/40200031 Epoxy fix resin / Epoxy fix hardener
Ethanol Struers 950301 Kleenol
Light Microscope Zeiss not applicable Axio Imager M2m 
Electron Microscope Zeiss not applicable Sigma 
CLEM software Zeiss not applicable Axio Vision SE64 Rel.4.9 and corresponding manual
CLEM sample holder Zeiss 432335-9101-000 Specimen holder CorrMic MAT Universal B
SEM Adapter for CLEM sample holder Zeiss 432335-9151-000 SEM Adapter for Specimen holder CorrMic MAT Universal B
sputter coater Quorum not applicable Q150TES
EDS detector Röntec not applicable X-Flash 1106
solder Stannol 535251 type: HS10
LED Lumileds not applicable LUXEON Rebel warm white, research sample

Riferimenti

  1. Mueller-Mach, R., Mueller, G. O., Krames, M. R., Trottier, T. High-power phosphor-converted light-emitting diodes based on III-Nitrides. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8 (2), 339-345 (2002).
  2. Branas, C., Azcondo, F. J., Alonso, J. M. Solid-State Lighting: A System Review. IEEE Ind. Electron. Mag. 7 (4), 6-14 (2013).
  3. Chang, M. -. H., Das, D., Varde, P. V., Pecht, M. Light emitting diodes reliability review. Microelectron. Reliab. 52 (5), 762-782 (2012).
  4. Ayodha, T., Han, H. S., Kim, J., Kim, S. Y. Effect of chip die bonding on thermal resistance of high power LEDs. Intersoc. Conf. Therm. Thermomechanical Phenom. Electron. Syst. ITHERM. , 957-961 (2012).
  5. Cason, M., Estrada, R. Application of X-ray MicroCT for non-destructive failure analysis and package construction characterization. Proc. Int. Symp. Phys. Fail. Anal. Integr. Circuits, IPFA. , (2011).
  6. Chen, R., Zhang, Q., Peng, T., Jiao, F., Liu, S. Failure analysis techniques for high power light emitting diodes. 2011 12th Int. Conf. Electron. Packag. Technol. High Density Packag. , 1-4 (2011).
  7. Chen, Z., Zhang, Q., et al. Study on the reliability of application-specific led package by thermal shock testing, failure analysis, and fluid-solid coupling thermo-mechanical simulation. IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. 2 (7), 1135-1142 (2012).
  8. Luniak, M., Holtge, H., Brodmann, R., Wolter, K. -. J. Optical Characterization of Electronic Packages with Confocal Microscopy. 2006 1st Electron. Syst. Technol. Conf. 2 (16), 1813-1815 (2006).
  9. Marks, M. R., Hassan, Z., Cheong, K. Y. Characterization Methods for Ultrathin Wafer and Die Quality: A Review. IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. 4 (12), 2042-2057 (2014).
  10. Rosc, J., Hammer, H., et al. Reliability assessment of contact wires in LED-devices using in situ X-ray computed tomography and thermo-mechanical simulations. Proc. 5th Electron. Syst. Technol. Conf. , 1-6 (2014).
  11. Zhaohui, C., Qin, Z., Kai, W., Xiaobing, L., Sheng, L. Reliability test and failure analysis of high power LED packages. J. Semicond. 32 (1), 014007 (2011).
  12. Hamon, B., Bataillou, B., Hamon, B., Mendizabal, L., Gasse, A., Feuillet, G. N-contacts degradation analysis of white flip chip LEDs during reliability tests. 2014 IEEE Int. Reliab. Phys. Symp. , FA.1.1-FA.1.6 (2014).
  13. Tsai, M. -. Y., Tang, C. -. Y., Yen, C. -. Y., Chang, L. -. B. Bump and Underfill Effects on Thermal Behaviors of Flip-Chip LED Packages: Measurement and Modeling. IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 14 (1), 161-168 (2014).
  14. Wang, F. -. K., Lu, Y. -. C. Useful lifetime analysis for high-power white LEDs. Microelectron. Reliab. 54 (6-7), 1307-1315 (2014).
  15. Liu, Y., Zhao, J., Yuan, C. C. -. A., Zhang, G. Q., Sun, F. Chip-on-Flexible Packaging for High-Power Flip-Chip Light-Emitting Diode by AuSn and SAC Soldering. IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. 4 (11), 1754-1759 (2014).
  16. Thomas, C., Edelmann, M., Lysenkov, D., Hafner, C., Bernthaler, T., Schneider, G. Correlative Light and Electron Microscopy (CLEM) for Characterization of Lithium Ion Battery Materials. Microsc. Microanal. 16, 784-785 (2010).
  17. Thomas, C., Ogbazghi, T. Correlative Microscopy of Optical Materials. Imaging & Microscopy. 3, 32-34 (2014).
check_url/it/53870?article_type=t

Play Video

Citazione di questo articolo
Meyer, J., Thomas, C., Tappe, F., Ogbazghi, T. In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography (CT) and Light Microscopy (LM) Correlated with Scanning Electron Microscopy (SEM). J. Vis. Exp. (112), e53870, doi:10.3791/53870 (2016).

View Video