Qui, presentiamo un protocollo per la deposizione di pellicole di ossido di niobium eseguendo sputtering reattivamente con diverse velocità di flusso di ossigeno da utilizzare come strato di trasporto di elettroni nelle celle solari perovskite.
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Articolo metodologico
Qui, presentiamo un protocollo per la deposizione di pellicole di ossido di niobium eseguendo sputtering reattivamente con diverse velocità di flusso di ossigeno da utilizzare come strato di trasporto di elettroni nelle celle solari perovskite.
Lo sputtering reattivo è una tecnica versatile utilizzata per formare pellicole compatte con un'eccellente omogeneità. Inoltre, consente un facile controllo sui parametri di deposizione come la portata del gas che si traduce in cambiamenti sulla composizione e quindi nelle proprietà richieste della pellicola. In questa relazione, lo sputtering reattivo viene utilizzato per depositare pellicole di ossido di niobium. Un obiettivo di niobium viene utilizzato come fonte metallica e diverse portate di ossigeno per depositare pellicole di ossido di niobium. La portata dell'ossigeno è stata modificata da 3 a 10 mccm. Le pellicole depositate con bassi flussi di ossigeno mostrano una maggiore conduttività elettrica e forniscono celle solari perovskite migliori se utilizzate come strato di trasporto di elettroni.
La tecnica dello sputtering è ampiamente utilizzata per depositare film di alta qualità. La sua applicazione principale è nell'industria dei semiconduttori, anche se viene utilizzato anche nel rivestimento superficiale per migliorare le proprietà meccaniche e gli strati riflettenti1. Il vantaggio principale dello sputtering è la possibilità di depositare materiali diversi su diversi substrati; la buona riproducibilità e il controllo sui parametri di deposizione. La tecnica di sputtering permette la deposizione di pellicole omogenee, con buona adesione su grandi aree e a basso costo rispetto ad altri metodi di deposizione come la deposizione chi....
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1. Incisione e pulizia del substrato
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Nel sistema di sputtering, il tasso di deposizione è fortemente influenzato dalla portata dell'ossigeno. Il tasso di deposizione diminuisce quando aumenta il flusso di ossigeno. Considerando le attuali condizioni dell'area bersaglio utilizzata e la potenza plasmatica, si osserva che da 3 a 4 mccm c'è una diminuzione espressiva del tasso di deposizione, tuttavia, quando l'ossigeno viene aumentato da 4 a 10 mccm diventa meno pronunciato. Nel regime di 3 sccm il tasso di deposizione è di 1,1 nm/s, diminuendo bruscamente a 0.......
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I film di ossido di niobium preparati in questo lavoro sono stati utilizzati come strato di trasporto elettronico nelle celle solari perovskite. La caratteristica più importante richiesta per uno strato di trasporto di elettroni è prevenire la ricombinazione, il blocco dei fori e il trasferimento efficiente di elettroni.
A questo proposito l'uso della tecnica reattiva dello sputtering è vantaggioso in quanto produce pellicole dense e compatte. Inoltre, come già accennato, rispetto a sol-gel, a.......
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Gli autori non hanno nulla da rivelare.
L'opera è stata sostenuta da Fundao de Amparo à Pesquisa do Estado de S'o Paulo (FAPESP), Centro de Desenvolvimento de Materiais Cermicos (CDMF- FAPESP N. 2013/07296-2, 2017/11072-3, 2013/09963-6 e 2017/18916-2). Un ringraziamento speciale al professor Maximo Siu Li per le misurazioni PL.
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| Nome | Azienda | Numero di catalogo | Commenti |
|---|---|---|---|
| 2-propanolo | Merck | 67-63-0 | solvente con massimo 0,005% di H2O |
| 4-terz-butilpiridina | Sigma Aldrich | 3978-81-2 | di purezza del 96% |
| Sigma Aldrich | 75-05-8 | purezza del 99,8% | |
| Sigma | Aldrich 90076-65-6 | chimico con ≥ Solvente | |
| Sigma Aldrich | 108-90-7 | di purezza 99,8% | |
| Solvente Sigma Aldrich | 200-578-6 | ||
| Substrato di vetro di ossido di stagno drogato con fluoro (SnO2:F) Substrato | Solaronix | TCO22-7/LI | per depositare film |
| Nastro Kaptom | Nastro termico Usinainfo | 04227 | utilizzato per coprire i |
| substratiKurt J Lesker sistema di sputtering magnetron | Kurt J Lesker | Apparecchiatura di sputtering utilizzata per depositare film compatti | ------di |
| piombo (II) | Alfa Aesar | 10101-63-0 | PbI2 sale - 99,998% di purezza |
| ioduro di metilammonio | Dyesol | 14965-49-2 | CH3NH3I sale |
| N2,N2,N2′ ,N2′ ,N7,N7,N7′ ,N7′ -octakis (4-metossifenil)-9,9′-spirobi [9H-fluorene]-2,2′,7,7′-tetramina | Sigma Aldrich | 207739-72-8 | sale Spiro-OMeTAD, purezza 99% |
| Niobio target di 3" | CBMM- Brazilian Metallurgy and Mining Company | ------ | obiettivo di polverizzazione catodica del niobio utilizzato nel solvente del sistema di sputtering |
| N-N dimetilformammide | Merck | 68-12-2 | con un massimo di 0,003% di H2O |
| TiO2 pasta | Dyesol | DSL 30NR-D | pasta di biossido di titanio |
| tris(2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-terz-butylpiridine)cobalto(III) tri[bis( sale di trifluorometano)sulfonimmide] | colorolo | 329768935 | FK 209 Co(III) TFSL |
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