Rivista
/
/
Gate tanımlı GaAs / AlGaAs Yanal Kuantum Noktalarının nano fabrikasyon
JoVE Journal
Ingegneria
È necessario avere un abbonamento a JoVE per visualizzare questo.  Accedi o inizia la tua prova gratuita.
JoVE Journal Ingegneria
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
DOI:

15:47 min

November 01, 2013

, ,

Capitoli

  • 00:05Titolo
  • 01:21Etching of the Mesa
  • 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
  • 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
  • 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
  • 11:08Fabrication of the Bonding Pads
  • 11:54Dicing of the Sample
  • 12:50Bonding
  • 13:07Results: Confirming Gate Integrity
  • 15:14Conclusion

Summary

Traduzione automatica

Bu kağıt galyum arsenit heteroyapıların üzerinde kapı tanımlı yarı iletken yan kuantum noktaları için ayrıntılı bir imalat protokolü sunar. Bu nano cihazlar kuantum bilgi işlem ya da tutarlı bir iletkenlik ölçümleri gibi diğer mezoskopik deneyler için kuantum bit olarak kullanımı için birkaç elektron yakalamak için kullanılır.

Video correlati

Read Article