写作和氧化物纳米结构的低温特性

在本视频中，我们将演示在 Lengthen 照明钛酸锶或 L-A-O-S-T-O 界面创建和测量导电纳米结构所需的步骤。第一步是获取样本。每个样品由 5 毫米 x 1 毫米厚的钛酸锶和 3.4 个基胞的 Lome 照明物或 LAO 组成。

下一步是样品的光刻处理，首先以 600 RPM 的速度将光刻胶旋转到样品上 5 秒，然后以 4， 000 RPM 的速度旋转 30 秒，应用掩模以曝光照片的所需区域。光刻胶用 320 纳米光照射样品 100 秒。显影光刻胶和 AZ 400 K 显影液用氩离子研磨机在 500 伏、10 毫安下对样品进行 1 分钟离子研磨 25 分钟。

要产生 15 纳米的铣削深度，请开始直流溅射工艺。将 4 纳米的钛和 25 纳米的金沉积到样品上，使金与裸露的 STO 层发生电接触。此处使用的具体飞溅程序请参考手稿。

下一步是升空。使用超声波清洗去除样品表面的光刻胶。现在，第一层在处理后已完成。

理想情况下，该示例应如下所示，以创建第二个图层。重复步骤 1 到 6，步骤 4 离子铣削除外。通过等离子清洗完成样品处理。

下一步是焊合画布，为 nano 写入做准备。用于运输实验。帆布必须用引线键合到芯片载体上。

样品上的焊盘和芯片载体之间建立电气连接。球键合机用于在电触点和芯片载体之间连接一根 1 mill 金线。将样品安装到芯片载体上并进行引线键合后。

它应该看起来像这样。下一步是编写纳米结构以在实验中使用样品。纳米结构的设计是非正式的草图。

那么我们今天应该编写什么类型的设备呢？好了，让我们在白板上安排我们的设备。我们从一些虚拟电极开始，以便与界面进行良好的接触，怎么样？

好的，这里有六个虚拟电极。我只是画画，主频道呢？好的，我们可以在整个画布上垂直绘制一个主通道，以及一些感应引线。

是的，我们还可以放置一个带有两个切口的空腔，也许还可以放置一个侧门，以电容耦合到主通道。是的，这是个好主意。精确的设计是使用开源可缩放矢量图形编辑器 Inkscape 创建的。

导电 A FM 尖端的路径和电压以 SVG 贝塞尔曲线和实线形状编码。然后在实验室视图中指定样品表面图像中的 Inkscape 文件。FM 光刻软件。

执行程序并将光刻命令发送到原子森林显微镜。使用模拟光刻程序的 3D 可视化工具跟踪进度。绿色曲线表示用正电压写入的导电路径。

红线表示局部恢复绝缘相的路径。在这种情况下，沿着纳米线创建一个 1 微米的空腔。下一步是冷却设备并进行测量。

写入纳米结构后，从 A FM 系统中提取样品。在步骤中应使用红色滤光片和/或照明，以避免载体的光激发，将样品安装在稀释装置上。将稀释装置小心地插入低温恒温器中，以确保不会对低温恒温器造成损坏。

在冷却过程中，监测电阻以确保样品保持导电。一旦样品达到 50 毫开尔文的基准温度，就可以测量其电阻和传输。在这个器件中，存在从 Kula 阻断行为到 Cooper 对隧穿再到完全超导的交叉。

这里的差分电导是从数值微分后的完整电流电压迹线获得的。观看此视频后，您应该全面了解在 L-A-O-S-T-O 界面上生产导电纳米结构所需的基本步骤。