Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

Alessandro Rossi; Tuomo Tanttu; Fay E. Hudson; Yuxin Sun; Mikko M&#246;tt&#246;nen; Andrew S. Dzurak

doi:10.3791/52852

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Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

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Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

DOI:

10.3791/52852-v

•

14:58 min

•

June 03, 2015

•

Alessandro Rossi, Tuomo Tanttu, Fay E. Hudson, Yuxin Sun, Mikko Möttönen, Andrew S. Dzurak

¹School of Electrical Engineering & Telecommunications,University of New South Wales, ²QCD Labs, COMP Centre of Excellence, Department of Applied Physics,Aalto University

Capitoli

00:05Titolo
03:11Creation of the Field Oxide Layer, Ohmic Contacts, and the Gate Oxide
07:10Gate Patterning
09:20Device Integrity Tests
10:57Results: Device Integrity Test Results and Millikelvin Measurements
12:13Conclusion

Summary

Traduzione automatica

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

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