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Quantification des concentrations d'hydrogène dans des surfaces et interfaces des couches et des matériaux en vrac par le biais de profils en profondeur avec l'analyse de la réaction nucléaire
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Capitoli
- 00:05Titolo
- 01:29Single Crystal Surface Preparation for Nuclear Reaction Analysis (NRA) in Ultra-high Vacuum
- 08:07Surface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis Measurements
- 09:24Bulk and Interface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis: Preparation and Measurement
- 11:02Results: Nuclear Reaction Analysis Hydrogen Depth Profiles for Single Crystal Palladium and from Silicon Dioxide Films on Silicon
- 12:50Conclusion
Nous illustrons l'application du 1 H (15 N, αγ) 12 C résonance nucléaire analyse de la réaction (ARN) à évaluer quantitativement la densité des atomes d'hydrogène sur la surface, dans le volume, et une couche interfaciale de matières solides. La profondeur proche de la surface d'hydrogène d'un profilage de Pd (110) monocristallin et de SiO 2 / Si (100) empile est décrit.
