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Lumière amélioré la passivation de l'acide fluorhydrique: une technique sensible pour détecter des défauts de silicium massif
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Capitoli
- 00:05Titolo
- 01:02Cleaning and Etching the Silicon Wafers
- 04:08Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement
- 07:08Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation
- 08:10Conclusion
A la surface du liquide de passivation technique RT pour étudier l'activité de recombinaison des défauts de silicium en vrac est décrit. Pour la technique soit efficace, trois étapes essentielles sont nécessaires: (i) le nettoyage et la gravure chimique du silicium, (ii) immersion de silicium dans de l'acide fluorhydrique à 15% et (iii) l'illumination pendant 1 min.
