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Luz Enhanced pasivación ácido fluorhídrico: una técnica sensible para la detección de defectos de silicio a granel
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Capitoli
- 00:05Titolo
- 01:02Cleaning and Etching the Silicon Wafers
- 04:08Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement
- 07:08Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation
- 08:10Conclusion
Una técnica de pasivación de la superficie de líquido RT para investigar la actividad de recombinación de defectos de silicio a granel se describe. Para la técnica tenga éxito, se requieren tres pasos críticos (i) la limpieza química y el grabado de silicio, (ii) inmersión de silicio en 15% de ácido fluorhídrico y (iii) la iluminación durante 1 min.
