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बलि का उपयोग नैनोकणों ई-बीम लिथोग्राफी द्वारा गढ़े संपर्क छेद में शॉट-शोर के प्रभाव को दूर करने के लिए
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Capitoli
- 00:05Titolo
- 01:20Derivatization and Characterization of Silicon Wafer Surfaces
- 02:14Gold Nanoparticle (GNP) Deposition into E-beam-patterned Holes
- 03:46Pol(methyl methacrylate) (PMMA) Photoresist Reflow and Dry- and Wet-etching
- 04:50Results: Reduction of Shot-noise by Deposition and Subsequent Etching of Sacrificial GNPs
- 06:29Conclusion
समान आकार नैनोकणों संपर्क छेद पाली (मिथाइल methacrylate) में नमूनों आयाम (PMMA) photoresist फिल्मों इलेक्ट्रॉन बीम (ई-बीम) लिथोग्राफी द्वारा में उतार-चढ़ाव को दूर कर सकते हैं। प्रक्रिया संपर्क छेद में केंद्र और जमा नैनोकणों, photoresist reflow और प्लाज्मा और गीला नक़्क़ाशी कदम के द्वारा पीछा करने के लिए इलेक्ट्रोस्टैटिक funneling शामिल है।
