犠牲ナノ粒子の使用は、電子ビームリソグラフィにより作製したコンタクトホール内にショットノイズの影響を除去します

均一なサイズのナノ粒子は、電子ビーム（Eビーム）リソグラフィによりポリパターニングコンタクトホール寸法の変動（メチルメタクリレート）（PMMA）フォトレジスト膜を除去することができます。プロセスは、フォトレジストのリフロー及びプラズマ・湿式エッチング工程に続いて、コンタクトホール内にナノ粒子を中心と堆積する静漏斗を含みます。