Rivista
/
/
Effekt av Bending på elektriske egenskaper Fleksibel Organic én krystall-baserte felt-effekt transistorer
JoVE Journal
Ingegneria
È necessario avere un abbonamento a JoVE per visualizzare questo.  Accedi o inizia la tua prova gratuita.
JoVE Journal Ingegneria
Effect of Bending on the Electrical Characteristics of Flexible Organic Single Crystal-based Field-effect Transistors
DOI:

08:43 min

November 07, 2016

,

Capitoli

  • 00:05Titolo
  • 00:43Grow Single Crystals of TCDAP Using a Physical Vapor Transfer (PVT) System
  • 01:43Device Fabrication
  • 04:09Measure the Performance of the Device and Bending Experiments
  • 05:32Results: Measuring Properties of Bent Organic Electronic Devices
  • 06:38Conclusion

Summary

Traduzione automatica

Dette manuskriptet beskriver bøyeprosessen i en organisk én krystall-baserte felteffekttransistor for å opprettholde en fungerende anordning for elektronisk egenskap måling. Resultatene tyder på at bøye fører til endringer i molekylavstand i krystallen, og således i den charge hopping hastighet, noe som er viktig i fleksible elektronikk.

Video correlati

Read Article