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Efecto de doblez en las características eléctricas de los transistores de efecto de campo basados en cristal orgánico único flexible
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Capitoli
- 00:05Titolo
- 00:43Grow Single Crystals of TCDAP Using a Physical Vapor Transfer (PVT) System
- 01:43Device Fabrication
- 04:09Measure the Performance of the Device and Bending Experiments
- 05:32Results: Measuring Properties of Bent Organic Electronic Devices
- 06:38Conclusion
Este manuscrito describe el proceso de plegado de un solo campo transistor de efecto a base de cristal orgánico para mantener en funcionamiento un dispositivo para la medición de la propiedad electrónica. Los resultados sugieren que las causas de flexión cambios en la separación molecular en el cristal y por lo tanto en la tasa de salto de carga, que es importante en la electrónica flexible.
