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Capitoli
- 00:05Titolo
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
हम घुमावदार छवि सेंसर के लिए एक विकृत पार्श्व निपिन phototransistor सरणी बनाने के लिए एक विस्तृत विधि प्रस्तुत करते हैं । एक खुला जाल फार्म, जो पतली सिलिकॉन द्वीपों और स्केलेबल धातु संयोजीओं से बना है के साथ phototransistor सरणी, लचीलापन और खिंचाव प्रदान करता है । पैरामीटर विश्लेषक गढ़े phototransistor की बिजली की संपत्ति की विशेषता है ।
