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シリコン上に半円筒空隙を有するゲルマニウムエピタキシャル層の転位低減に関する理論計算と実験的検証

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Theoretical Calculation and Experimental Verification for Dislocation Reduction in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon

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シリコン上に半円筒空隙を有するゲルマニウムエピタキシャル層の転位低減に関する理論計算と実験的検証

DOI:

10.3791/58897-v

•

06:57 min

•

July 17, 2020

•

Motoki Yako, Yasuhiko Ishikawa, Eiji Abe, Kazumi Wada³

¹Department of Materials Engineering,The University of Tokyo, ²Department of Electrical and Electronic Information Engineering,Toyohashi University of Technology, ³Department of Materials Science and Engineering,Massachusetts Institute of Technology

Capitoli

00:04Introduction
00:34Experimental Verification Procedure
04:29Results: Reduction of Threading Dislocation Density in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
06:12Conclusion

Summary

Traduzione automatica

シリコン上に半円筒空隙を有するゲルマニウムエピタキシャル層におけるねじ切り転位(TD)密度の低減について、理論計算と実験的検証が提案されています。像力によるTDと表面の相互作用に基づく計算、TD測定、TDの透過型電子顕微鏡観察を示します。

Tags

Keywords: Dislocation Reduction Germanium Epitaxial Layers Semicylindrical Voids Silicon Threading Dislocation Density Selective Epitaxial Growth Boron-doped P-silicon Silicon Dioxide Photoresist Buffered Hydrofluoric Acid Germanium Growth

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