Name: Taşıyıcı ömür boyu ölçümlerde mikrodalga Photoconductivity çürüme yöntemi aracılığıyla yarı iletkenler (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-04-18T13:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 38 s
Description: Öğrenin yarı iletkenlerde taşıyıcı ömür boyu ölçümü için mikrodalga fotoconductivity çürüme yöntemini. Bu teknik silisyum karbür gibi malzemelerin karakterizasyonunda malzeme bozukluklarına karşı duyarsızlığıyla avantaj sağlar.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

playerTrialDesktop

Bu eser Nagoya Teknoloji Enstitüsü tarafından Japonya desteklenmiştir.

1. örnek hazırlanması
<ol><li>Bir n-tipi 4 H-SiC epilayer (Malzeme tablo) hazırlayın.</li>
	<li>Örnek aseton ile ve sonra her 5 min için su ile yıkama kullanarak bir</li>
	<li>Ultrasonik yıkama.</li>
	<li>Azot silah nem örnek yüzeyinde kaldırmak için kullanın.</li>
</ol>2. sulu çözümler hazırlanması
<ol><li>1 M H2herbiri hazır olun4, HCl, Na2SO4, NaOH veya HF 1 wt % konsantrasyon. Seçin ve ölçülecek sulu bir çözüm hazırlamak.</li>
	<li>5 mm (uzunluk) kuvars hücresiyle hazırlamak x 20 mm (genişlik) x 40 mm (yükseklik) boyutları ve sonra dökmek içine sulu çözüm. Hazırlanan örnek hücre içine koymak ve sonra sulu çözüm bırakın. Not: en az 4 mL sulu çözüm kuvars hücredeki tamamen dalmış örnek için gereklidir. Çözüm değiştirirken, aseton ve saf su kullanma tedavi örnek ile ultrasonik Temizleme.</li>
</ol>3. ölçme donanımları hazırlanması
<ol><li>Işık kaynağı heyecanlandırmak için 266 nm lazer güç kaynağı açın. Daha sonra lazer modu bekleme konumuna ayarlayın.</li>
	<li>Lazer ve osilatör süngü Neill-Concelman (BNC) kablo ile bağlayın. Osilatör üzerinde açmak ve lazer için 100 Hz nabız dalga girdi.</li>
	<li>Tetikleyici toplama fotodiyot osiloskop BNC kablo ile bir tetikleyici giriş kanalı aracılığıyla bağlayın.</li>
	<li>Fotodiyot güç kaynağı açın.</li>
	<li>Lazer ışınlatayım ve yön, lazer ışık optik yolu ışığa normal mikrodalga dalga kılavuzu diyafram yerleştirin. Dikkat: ikinci süreçte deneyci lazer ışınlama sırasında koruyucu göz gözlük giymek gerekir.</li>
	<li>Şekil 1' de gösterildiği gibi bir yarı-ayna lazer, optik yolu üzerinde yüklemek ve lazer fotodiyot için yansıtmaktadır.</li>
	<li>Osiloskop üzerinde açmak ve tetikleyici eşiğini fotodiyot sinyal için yeterli bir gerilim ayarlayın. Not: Eşik değer tetikleyici sinyal tepe küçük ayarlanmış olabilir. Bir kasıtsız yansıyan ışık fotodiyot girdiğinde, osiloskop büyük ölçüde lazer frekans farklı bir frekans görüntüler. Bu durumda, 3,6 adımı yineleyin.</li>
	<li>Tetikleyici frekans bir osiloskop ile kontrol ve osilatör tam olarak ayarlamak.</li>
	<li>Lazer modu bekleme konumuna.</li>
	<li>Schottky bariyer diyot yansıyan mikrodalga algılama için mikrodalga dalga kılavuzu ve bir osiloskop sinyal giriş kanal BNC kablo üzerinden bağlayın.</li>
	<li>Bir 9.5 V uygulamak için bir Gunn diyot gerilimi.</li>
	<li>Kuvars (Adım 2.2) mümkün olduğunca diyafram önünde stand üzerine yerleştirin. Bant ile düzeltmek.</li>
</ol>4. ölçüm ve verilerini kaydetme
<ol><li>Lazer ışık salınım açmak ve örnek ışığına ışınlatayım.</li>
	<li>Bir yarı-waveplate (λ/2), bir polarize ve güç metre optik yol (şekil 1) yerleştirin.</li>
	<li>Lazer güç metre için şekil 1' de gösterildiği gibi ışınlatayım. Lazer uyarma yoğunluğunu kontrol edin.</li>
	<li>λ/2 açı uyarma yoğunluk kontrolü için ayarlayın. Not: polarize hangi uyarma yoğunluk kontrollü tek bir ışık polarizasyon yönünde iletir süre λ/2 lazer ışık, polarizasyon yönünü değiştirir. Enjekte Foton yoğunluğunu 8 x 1013 cm−2 ve 266 nm lazer için ayarlanır, 4 H SiC uyarma taşıyıcı yoğunluğu 4.5 x 1017 cm−3.</li>
	<li>Güç metre optik yoldan kaldırın.</li>
	<li>En yüksek sinyal osiloskop üzerinde görüntülenir zaman/div ve V/div osiloskop ile ayarlanır.</li>
	<li>Genlik ve bir E-H tuner ile mikrodalga aşaması ayarlayın. Osiloskop kontrol edin ve E-H tuner için en yüksek sinyal en yüksek seviyede nerede bak. Sinyal kaybı, E-H tuner sonuçlarında düzeltilmesi Şekil 2' de gösterildiği gibi başarısız oldu. Not: Bir amplifikatör çürüme sinyal yeterince büyük sinyal göre arka plan gürültü veya bile E-H tuner ayarladıktan sonra gözlem değil durumunda güçlendirmek için kullanılır. Amplifikatör Schottky bariyer diyot ve bir BNC kablo ile osiloskop sinyal giriş kanalı arasında şekil 1' de gösterildiği gibi yer alıyor.</li>
	<li>4,6 ve 4,7 ayarlama tamamlamak için adımları yineleyin.</li>
	<li>Zaman/div osiloskop, ayarlamak ve bir bozunma eğrisi osiloskop üzerinde ölçüm alanında eskiz.</li>
	<li>Sinyal-gürültü oranı artırmak için sinyal için rasgele bir kaç kez ortalama.</li>
	<li>Ölçüm verilerini bir elektronik dosya bir belleğe kaydetme ve osiloskop kaldırın.</li>
</ol>5. veri işleme
<ol><li>Bir kişisel bilgisayar için sinyal veri.</li>
	<li>Deneyden elde edilen bir fonksiyonu olarak çürüme eğriler çizmek.</li>
	<li>Arka plan gürültü seviyesi ortalama değerini hesaplamak, çürüme sinyalini çıkarma ve zamanın bir fonksiyonu olarak arsa.</li>
	<li>5.3. adımda elde çürüme sinyal en yüksek değeri bulmak ve en yüksek değerine göre çürüme sinyalini ayırmak.</li>
</ol>

<ol><li>Kunst, M., Beck, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+study+of+charge+carrier+kinetics+in+semiconductors+by+microwave+conductivity+measurements%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements.</a> Journal of Applied Physics. 60 (10), 3558-3566 (1986).</li>
<li>Klein, P. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carrier+lifetime+measurement+in+n%E2%88%924H-SiC+epilayers%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Carrier lifetime measurement in n−4H-SiC epilayers.</a> Journal of Applied Physics. 103, 033702(2008).</li>
<li>Linnros, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carrier+lifetime+measurements+using+free+carrier+absorption+transients.+I.+Principle+and+injection+dependence%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Carrier lifetime measurements using free carrier absorption transients. I. Principle and injection dependence.</a> Journal of Applied Physics. 84, 275-283 (1998).</li>
<li>Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H., Kato, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Microscopic+FCA+System+for+Depth-Resolved+Carrier+Lifetime+Measurement+in+SiC%5BTitle%5D)+AND+%22Materials+Science+Forum%22%5BJournal%5D)">Microscopic FCA System for Depth-Resolved Carrier Lifetime Measurement in SiC.</a> Materials Science Forum. 924, 269-272 (2018).</li>
<li>Miyazawa, T., Ito, M., Tsuchida, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaluation+of+long+carrier+lifetimes+in+thick+4H+silicon+carbide+epitaxial+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Evaluation of long carrier lifetimes in thick 4H silicon carbide epitaxial layers.</a> Applied Physics Letters. 97, 202106(2010).</li>
<li>Kimoto, T., Danno, K., Suda, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Lifetime-killing+defects+in+4H-SiC+epilayers+and+lifetime+control+by+low-energy+electron+irradiation%5BTitle%5D)+AND+%22Physica+Status+Solidi+B%22%5BJournal%5D)">Lifetime-killing defects in 4H-SiC epilayers and lifetime control by low-energy electron irradiation.</a> Physica Status Solidi B. 245, 1327(2008).</li>
<li>Ščajev, P., Gudelis, V., Jarašiūnas, K., Klein, P. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fast+and+slow+carrier+recombination+transients+in+highly+excited+4H-and+3C-SiC+crystals+at+room+temperature%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Fast and slow carrier recombination transients in highly excited 4H-and 3C-SiC crystals at room temperature.</a> Journal of Applied Physics. 108, 023705(2010).</li>
<li><a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=%22SEMI+Standard%2C+SEMI+MF1535%22">SEMI Standard, SEMI MF1535</a>. , (2007).</li>
<li>Hashizume, H., Sumie, S., Nakai, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carrier+Lifetime+Measurements+by+Microwave+Photoconductivity+Decay+Method%5BTitle%5D)+AND+%22ASTM+Special+Technical+Publication%22%5BJournal%5D)">Carrier Lifetime Measurements by Microwave Photoconductivity Decay Method.</a> ASTM Special Technical Publication. 1340, 47(1998).</li>
<li>Schöfthaler, M., Brendel, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Sensitivity+and+transient+response+of+microwave+reflection+measurements%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Sensitivity and transient response of microwave reflection measurements.</a> Journal of Applied Physics. 77, 3162(1995).</li>
<li>Ichikawa, Y., Ichimura, M., Kimoto, T., Kato, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Passivation+of+Surface+Recombination+at+the+Si-Face+of+4H-SiC+by+Acidic+Solutions%5BTitle%5D)+AND+%22ECS+Journal+Solid+State+Science+and+Technology%22%5BJournal%5D)">Passivation of Surface Recombination at the Si-Face of 4H-SiC by Acidic Solutions.</a> ECS Journal Solid State Science and Technology. 7 (8), Q127-Q130 (2018).</li>
<li>Mori, Y., Kato, M., Ichimura, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Surface+recombination+velocities+for+n-type+4H-SiC+treated+by+various+processes%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Physics+D%3A+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Surface recombination velocities for n-type 4H-SiC treated by various processes.</a> Journal of Physics D: Applied Physics. 47, 335102(2014).</li>
<li>Kato, M., Mori, Y., Ichimura, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Microwave+reflectivity+from+4H-SiC+under+a+high+injection+condition%3A+impacts+of+electron-hole+scattering%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Microwave reflectivity from 4H-SiC under a high injection condition: impacts of electron-hole scattering.</a> Journal of Applied Physics. 54, 04DP14(2015).</li>
<li>Kato, M., Matsushita, Y., Ichimura, M., Hatayama, T., Ohshima, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excess+Carrier+Lifetime+in+p-Type+4H-SiC+Epilayers+with+and+without+Low-Energy+Electron+Irradiation%5BTitle%5D)+AND+%22Japanese+Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 51, 028006(2012).</li>
<li>Kato, M., Yoshida, A., Ichimura, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Estimation+of+Surface+Recombination+Velocity+from+Thickness+Dependence+of+Carrier+Lifetime+in+n-Type+4H-SiC+Epilayers%5BTitle%5D)+AND+%22Japanese+Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Estimation of Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC Epilayers.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 51, 02BP12(2012).</li>
<li>Mori, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excess+Carrier+Lifetime+Measurement+of+Bulk+SiC+Wafers+and+Its+Relationship+with+Structural+Defect+Distribution%5BTitle%5D)+AND+%22Japanese+Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Excess Carrier Lifetime Measurement of Bulk SiC Wafers and Its Relationship with Structural Defect Distribution.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 44, 8333(2005).</li>
<li>Jenny, J. R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Effects+of+annealing+on+carrier+lifetime+in+4H-SiC%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Effects of annealing on carrier lifetime in 4H-SiC.</a> Journal of Applied Physics. 100, 113710(2006).</li>
<li>Hayashi, T., Asano, K., Suda, J., Kimoto, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Temperature+and+injection+level+dependencies+and+impact+of+thermal+oxidation+on+carrier+lifetimes+in+p-type+and+n-type+4H-SiC+epilayers%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Temperature and injection level dependencies and impact of thermal oxidation on carrier lifetimes in p-type and n-type 4H-SiC epilayers.</a> Journal of Applied Physics. 109, 014505(2011).</li>
<li>Okuda, T., Miyake, H., Kimoto, T., Suda, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Long+Photoconductivity+Decay+Characteristics+in+p-Type+4H-SiC+Bulk+Crystals%5BTitle%5D)+AND+%22Japanese+Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Long Photoconductivity Decay Characteristics in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 52, 010202(2013).</li>
<li>Schofthaler, M., Brendel, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Sensitivity+and+transient+response+of+microwave+reflection+measurements%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Sensitivity and transient response of microwave reflection measurements.</a> Journal of Applied Physics. 77, 3162-3173 (1995).</li>
<li>Beck, G., Kunst, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Contactless+scanner+for+photoactive+materials+using+laser-induced+microwave+absorption%5BTitle%5D)+AND+%22Review+of+Scientific+Instruments%22%5BJournal%5D)">Contactless scanner for photoactive materials using laser-induced microwave absorption.</a> Review of Scientific Instruments. 57, 197-201 (1986).</li>
<li>Kolen'ko, Y. V., Churagulov, B. R., Kunst, M., Mazerolles, L., Colbeau-Justin, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Photocatalytic+properties+of+titania+powders+prepared+by+hydrothermal+method%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Catalysis+B%3A+Environmental%22%5BJournal%5D)">Photocatalytic properties of titania powders prepared by hydrothermal method.</a> Applied Catalysis B: Environmental. 54, 51-58 (2004).</li>
<li>Carneiro, J. T., Savenije, T. J., Moulijn, J. A., Mul, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+effect+of+Au+on+TiO2+catalyzed+selective+photocatalytic+oxidation+of+cyclohexane%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Photochemistry+and+Photobiology+A%3A+Chemistry%22%5BJournal%5D)">The effect of Au on TiO2 catalyzed selective photocatalytic oxidation of cyclohexane.</a> Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry. 217, 326-332 (2011).</li>
<li>Luna, A. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Synergetic+effect+of+Ni+and+Au+nanoparticles+synthesized+on+titania+particles+for+efficient+photocatalytic+hydrogen+production%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Catalysis+B%3A+Environmental%22%5BJournal%5D)">Synergetic effect of Ni and Au nanoparticles synthesized on titania particles for efficient photocatalytic hydrogen production.</a> Applied Catalysis B: Environmental. 191, 18-28 (2016).</li>
<li>Kunst, M., Beck, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+study+of+charge+carrier+kinetics+in+semiconductors+by+microwave+conductivity+measurements%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements.</a> Journal of Applied Physics. 60, 3358(1986).</li>
<li>Kunst, M., Beck, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+study+of+charge+carrier+kinetics+in+semiconductors+by+microwave+conductivity+measurements.+II%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements. II.</a> Journal of Applied Physics. 63, 1093(1988).</li>
<li>Schindler, K. -M., Kunst, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Charge-Carrier+Dynamics+in+TiO2+Powders%5BTitle%5D)+AND+%22The+Journal+of+Physical+Chemistry%22%5BJournal%5D)">Charge-Carrier Dynamics in TiO2 Powders.</a> The Journal of Physical Chemistry. 94, 8222-8226 (1990).</li>
<li>Savenije, T. J., de Haas, M. P., Warman, J. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+Yield+and+Mobility+of+Charge+Carriers+in+Smooth+and+Nanoporous+TiO2+Films%5BTitle%5D)+AND+%22Zeitschrift+f%C3%BCr+Physikalische+Chemie%22%5BJournal%5D)">The Yield and Mobility of Charge Carriers in Smooth and Nanoporous TiO2 Films.</a> Zeitschrift für Physikalische Chemie. , 201-206 (1999).</li>
<li>Colbeau-Justin, C., Kunst, M., Huguenin, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Structural+influence+on+charge-carrier+lifetimes+in+TiO2+powders+studied+by+microwave+absorption%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Materials+Science%22%5BJournal%5D)">Structural influence on charge-carrier lifetimes in TiO2 powders studied by microwave absorption.</a> Journal of Materials Science. 38, 2429-2437 (2003).</li>
<li>Kato, M., Kohama, K., Ichikawa, Y., Ichimura, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carrier+lifetime+measurements+on+various+crystal+faces+of+rutile+TiO2+single+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22Materials+Letters%22%5BJournal%5D)">Carrier lifetime measurements on various crystal faces of rutile TiO2 single crystals.</a> Materials Letters. 160, 397-399 (2015).</li>
</ol>

Yazarlar ifşa gerek yok.

μ-PCD protokolünde adım 4.7 en önemli bir noktadır. E-H tuner ile hareketli bir kısa devre E ve H uçaklarda sırasıyla dahil oldu. Böylece, kısa devre E tuner veya H tuner hareket genlik ve yansıyan mikrodalga aşaması değiştirir ve sinyal genlik en üst düzeye çıkarır. Aksesuar bozunma eğrisi dalga üzerinde büyük bir etkisi vardır ve kesinlikle gerçekleştirilmelidir. Nerede Aksesuar zor olabilir bir zayıf sinyal gücü durumunda, ortalamalar Tuning birkaç on kullanılabilir. İçin ayarlama başarısız, μ-PCD çürüme eğrileri gözlemlenebilir değildir; Sadece gürültü sinyal bir osiloskop olarak görülmektedir. Şekil 2 , böyle bir durumda osiloskop dalga biçimi gösterir.
Daha düşük iletkenlik limitsiz olarak yüksek direnç örnekleri ölçmek kolaydır. Örnek direnci azaldığında veya örnek kalın olduğunda, mikrodalga deri etkisi önemsiz değildir. Mikrodalga elektrik alan yoğunluğunu 1/e kez hale gelinceye kadar mesafe cilt derinlik anılacaktır <img alt="Equation 11" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq11.jpg"> , hangi denklem 9 tarafından ifade edilir:
<img alt="Equation 12" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq12.jpg">(9)
Burada ω mikrodalga açısal frekans ve ε, ρve μ örnek'ın Dielektrik sabiti, direnci ve geçirgenliği, sırasıyla temsil eder. Si ve SIC söz konusu olduğunda, 10 GHz mikrodalga için yaklaşık δ değerleri 50 Ω∙cm, 10 Ω∙cm, 1 Ω∙cm, 500 mikron ve 0.1 Ω∙cm, 150 mikron 2 mm, 9 mm idi. Bu nedenle, tipik kalınlıkları (birkaç yüz mikronluk) daha az 0.1 Ω∙cm, örnekleriyle ölçülerini δ doğruluk kaybedersiniz. Öte yandan, mikrodalga ve optik radyasyon bu protokolü gofret ters gelen olay. Önemsiz bir deri etkisi daha iyi mikrodalga ve aynı tarafta optik radyasyon gösterir.
Daha düşük limitler direnci ve mikrodalga ile etkileşimi kaynaklanan örnek kalınlığına bağlıdır. Son derece karşı koymak için aşırı taşıyıcıların tipik daha düşük limitler 1012 cm−3sırasına örneklerindendir. Öte yandan, elektron-delik saçılma aşırı taşıyıcıları ref. 13 anlatıldığı gibi 1016 cm−3, daha fazla dikkate alınmalıdır.
Öyle ki denklem (3), geçerlilik13,25,26 kaybedecek μ-PCD çürüme eğrileri yüksek uyarma yoğunluğu nedeniyle aşırı taşıyıcı konsantrasyonu mikrodalga yansıtma unproportionality, nazik oldu ve τ1/e fazla hesaplamış. Şekil 8 gösterir μ-PCD çürüme eğri bir kimyasal yüzey işleme n-tipi 4 H-SiC 266 tarafından Si yüzünde uyarma ile parlatma mekanik nm yüksek uyarma yoğunluk altında.
Ayrıca, performans ölçüm cihazları bir uyarma kaynak, bir osiloskop ve bir amplifikatör gibi zaman çözünürlüğü bağlıdır. Örneğin, bu çalışmada, 1 darbe genişliği ile bir lazer aparatı oluşuyordu ns uyarma kaynak ve 500 MHz frekans bandı olan bir osiloskop olarak. Sonuç olarak, en az ölçülebilir yaşam süresi 2 olarak tahmin edilmiştir ns.
Daha önce belirtildiği gibi μ-PCD Si gibi yarı iletkenler karakterizasyonu için yararlıdır. Yine de, onun uygulama diğer malzemeler için örneğin, TiO227,28,29,30da dahil olmak üzere fotoaktif malzemelerinde genişletilebilir.
Ayrıca, μ-PCD kenara TR-PL2 ve TR-FCA önceki bölümlerde sunulan diğer iki taşıyıcı ömür boyu ölçüm teknikleri vardır. TR-PL gözlemler photoluminescence zaman değişimine neden taşıyıcı rekombinasyon tarafından TR-FCA değiştirmek gözlemliyorsa iken probe emme4ışık. Özellikle, ücretsiz taşıyıcı emme ışık enerji grubu gap taşıyıcı uyarma3sırasında ışınlanmış daha küçük ile oluşur. Yine de, bu iki karşılaştırıldığında, μ-PCD doğrudan elektrik iletkenlik mikrodalga tarafından gözlemler ve yüksek yüzey pürüzlülüğü ve sinyal duyarlılık, yapım o taşıyıcı ömür boyu ölçümü için yarı iletken cihaz uygulamaları için daha ideal yöntem vardır.

Aşırı taşıyıcılar yarı iletkenler optik foton enerji iletim ve değerlik bantları arasındaki uçurum daha büyük iğne ile heyecanlıyız. Heyecanlı aşırı taşıyıcılar, sonra içinde büyük ölçüde işlem sırasında yarı iletken cihazların performansı etkiler ömür boyu taşıyıcı olarak bilinen bir zaman sabit bir elektron-delik rekombinasyon tarafından kaybolur. Yarı iletken cihazlar ve malzemeler için önemli parametrelerden biri olarak taşıyıcı ömür boyu bu malzemelerin kusurun varlığı çok hassastır ve daha uygun bir yöntem değerlendirme gerektirir. J. Warman ve M. Kunst geliştirilen bir geçici zaman vermişler tekniği çözüldü mikrodalga iletkenlik (TRMC), mikrodalga emme şarj taşıyıcı dynamics yarı iletkenler1takip içerir. Diğer araştırmacılar onun noncontact nedeniyle yarı iletken sektörlerde yaygın olarak kabul edilen malzeme yeterlilik tekniktir mikrodalga photoconductivity çürüme (μ-PCD), diğer adıyla geçici fotoğraf iletkenlik (TCK), önerilen ve geri dönüşlü ölçümleri taşıyıcı ömür boyu. Özellikle, Silisyum Karbür (SiC) için üç önemli teknikler tabidir: μ-PCD, zaman çözüldü photoluminescence (TR-PL) ve zaman çözüldü ücretsiz taşıyıcı emme (TR-FCA)2,3,4,5 ,6,7. Bu teknikler arasında µ-PCD ve en yaygın meslek (yani, verilen herhangi için ölçülebilir çeşitli pürüzlülük8,9,10 yüzey yüzey pürüzlülüğü duyarsızlık sergiler gibi diğer iki karşılaştırıldığında çünkü ) ve yüksek sinyal duyarlılık heyecanlı taşıyıcıları için (yani, kullanarak bir optimum mikrodalga bileşeni). Genel olarak, μ-PCD SIC ve diğer yarı iletken malzemeler2,5,6,11,12,13 taşıyıcı ömür boyu ölçümü için tercih edilen oldu ,14,15,16,17,18,19.
Ölçüm iletişim kuralı ve μ-PCD1,20,21 prensibi burada ayrıntılı. Prensip olarak, bu bir soruşturma yansıyan mikrodalga kullanır. Burada, mikrodalga yansıtma (σ) örneği Ryansıyan mikrodalga yoğunluğu P(σ) ve Denklem 1 tarafından ifade edildiği şekilde olay mikrodalga yoğunluğu Piçinde arasındaki oran eşdeğerdir:
<img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq1.jpg">(1)
Bir darbe lazer ışınlama tarafından bir örnek σ iletkenlik değiştirir σ + Δ içinσ; aynı şekilde, R (σ) R(σ + Δσ) dönüştürür. Böylece, ΔR denklem 2 tarafından verilir:
<img alt="Equation 2" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq2.jpg">(2)
Bir pertürbasyon (küçük Δσ) yaklaşım, R(σ + Δσ) vermeye Taylor serisi geliştirilmiştir
<img alt="Equation 3" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq3.jpg">(3)
Δσ olur iken
<img alt="Equation 4" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq4.jpg">, (4).
q temel ücret, nerede delik hareketlilik μp olduğunu, μn elektron hareketlilik ise Δp aşırı taşıyıcı konsantrasyon. Önceki denklemler, dan<img alt="Equation 5" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq5.jpg">ΔR ve Δp tarafından ilgili
<img alt="Equation 6" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq6.jpg">. (5)
Mikrodalga yansıtma aşırı taşıyıcı konsantrasyon üzerinde bağımlılık taşıyıcı ömür boyu yarı iletken malzemelerin tahmin etmek için kullanabilirsiniz aşırı taşıyıcıları saat çürüme gözlemlemek μ-PCD sağlar.

<table><tbody><tr><td>n-tipi 4H-SiC epilayer</td><td>Ascatron AB http://ascatron.com/</td><td></td> <td>Numune</td></tr><tr><td>266 nm darbeli lazer</td><td>CryLaS GmbH http://www.crylas.de/</td> <td>FQSS 266-50&nbsp;</td><td>Uyarma ışık kaynağı</td></tr><tr><td>Fotodiyot</td><td>THORLABS https://www.thorlabs.com/index.cfm</td><td>DET10A/M</td><td>Tetik sinyali algılama</td></tr><tr><td>Schottky bariyer diyot</td><td>ASI http://www.advancedsemiconductor.com/</td> <td>1N23WE</td><td>Yansıyan mikrodalga algılama</td></tr><tr><td>Tabanca diyotu&nbsp;</td><td>Microsemi https://www.microsemi.com/</td> <td>MO86751C</td><td>Mikrodalga üretim kaynağı</td></tr><tr><td>E-H tuner&nbsp;</td><td>SPC ELEKTRONİK ŞİRKETİ</td><td></td> http://www.spc.co.jp/index.html <td>mikrodalga bileşeni</td></tr><tr><td>Sirkülatör</td><td>SPC ELEKTRONİK ŞİRKETİ</td><td></td> http://www.spc.co.jp/index.html <td>mikrodalga bileşeni</td></tr><tr><td>Dikdörtgen dalga kılavuzu</td><td>SPC ELEKTRONİK ŞİRKETİ</td><td></td> http://www.spc.co.jp/index.html <td>mikrodalga bileşeni</td></tr><tr><td>Çift sırt dalga kılavuzu</td><td>SPC ELEKTRONİK ŞİRKETİ </td><td></td> http://www.spc.co.jp/index.html <td>mikrodalga bileşeni</td></tr><tr><td>Kristal montajlı</td><td>SPC ELECTRONICS CORPORATION</td><td></td> http://www.spc.co.jp/index.html <td>mikrodalga bileşeni</td></tr><tr><td>Aseton</td><td>KANTO CHEMICAL CO.,INC.</td> https://www.kanto.co.jp/ <td>GE00001</td><td>Numune temizleme</td></tr><tr><td>Sülfürik asit</td><td>KANTO CHEMICAL CO.,INC.</td> https://www.kanto.co.jp/ <td>GE00257</td><td>Asidik sulu çözelti</td></tr><tr><td>Hidroklorik asit</td><td>KANTO CHEMICAL CO.,INC.</td> https://www.kanto.co.jp/ <td>GE00238</td><td>Asidik sulu çözelti</td></tr><tr><td>Hidrojen florür</td><td>KANTO CHEMICAL CO.,INC.</td> https://www.kanto.co.jp/ <td>18083-1B</td><td>Asidik sulu çözelti</td></tr><tr><td>Sodyum hidroksit</td><td>KANTO CHEMICAL CO.,INC.</td> https://www.kanto.co.jp/ <td>37184-00</td><td>Alkali sulu çözelti</td></tr><tr><td>Sodyum sülfat</td><td>KANTO CHEMICAL CO.,INC.</td> https://www.kanto.co.jp/ <td>37280-00</td><td>Nötr sulu çözelti</td></tr></tbody></table>

taşıyıcı ömür boyu ölçümlerde mikrodalga photoconductivity çürüme yöntemi aracılığıyla yarı iletkenler

Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method

Bu çalışma bir protokol mikrodalga photoconductivity çürüme (μ-PCD) istihdam yarı iletken malzemeler, taşıyıcı hayatta ölçümü için özellikle SiC sunar. Prensip olarak, aşırı taşıyıcıları uyarma ile oluşturulan yarı iletken içinde zamanla birleştireceğimi ve daha sonra denge durumuna döndürün. Bu rekombinasyon zaman sabiti taşıyıcı kullanım süresi, aygıtlar ve geri dönüşlü ölçüm ideal μ-PCD tarafından elde gerektirir önemli bir parametre yarı iletken malzeme ve cihazlar olarak bilinir. Bir örnek ışınlama sırasında bir parçası mikrodalga yarı iletken örnek tarafından yansıtılır. Mikrodalga yansıtma taşıyıcılara atfedilen örnek iletkenlik bağlıdır. Bu nedenle, aşırı taşıyıcıları saat çürüme olan çürüme eğri-ebilmek var olmak çözümlemek için taşıyıcı ömür boyu tahmin yansıyan mikrodalga yoğunluğu tespiti ile görülebilmektedir. Sonuçları yarı iletken malzeme ve cihazlar taşıyıcı hayatta ölçüm μ-PCD Protokolü uygunluğu doğrulayın.

Şekil 1 bir şematik diyagramı 10 GHz mikrodalga frekansı, X waveguide grubu ve bir dikdörtgen dalga kılavuzu oluşan μ-PCD cihazları gösterir. Mikrodalga Çift Kişilik ridge dalga kılavuzu tarafından odaklı ve örnek üzerinde ışınlanmış. Gunn diyot çıkış gücüydü 50 mW ve faz gürültü oldu neredeyse-80 dBc/Hz.
Şekil 3 gösterir μ-PCD bozunma eğrisi 100 mikron kalınlığında n-tipi 4 H-SiC örneği heyecanlı Si yüzünde tarafından 266 nm havada; Logaritmik ölçekli μ-PCD sinyal (V) bağımlı değişken ve zaman (μs) bağımsız değişken oldu. Sinyal gerilim tepe amplifikasyon yaklaşık 0,046 V öncesinde oldu. Ayrıca, osiloskop DC modundan elde yansıyan mikrodalga doğru akım (DC) bileşeninin gözlenen gerilim birkaç volt sipariş oldu. Rekombinasyon aşırı taşıyıcıları ile zaman ilerledikçe, örnek'ın iletkenlik ve mikrodalga yansıtma azalmıştır.
Şekil 4 normalleştirilmiş μ-PCD bozunma eğrisi Şekil3 gösteriyor. Normalleştirme zamanı sabitleri farklı en yüksek yoğunluklarda ile karşılaştırmasını sağlar. Genellikle, taşıyıcı ömür boyu tahmini çürüme eğri dayalı sinyal yoğunluğu azalır ayında en yüksek 1/e (~ 0.368) elde etmek için harcanan zamanı gösteren 1/e yaşam süresi τ1/e parametre ile yapılır. Not µ-PCD çürüme tek bir üstel değildi ve τ1/e toplu ve yüzey rekombinasyon tarafından etkilenmiştir. Ancak, farklı kalınlık veya yüzey durumu örnekleri zaman sabiti karşılaştırma gerektirdiği bir başvuru parametresi. τ1/e kullanımı uygun bozunma eğrisi ilk parçası ve veri analizi ve sadeliği iyi sinyal-gürültü oranı göz önüne alındığında. Μ-PCD sinyal, yarı hayat, ı40karakterize etmek için /benmaxve kD sabit de böyle parametreleri22,23,24kabul. Aslında, τ1/e yarı standart olarak kabul edilmiştir: yarı MF 15358 Si taşıyıcı ömür boyu ölçümü için standart olarak. Şekil 4bozunma eğrisi için yaklaşık 0,34 μs τ1/e yapıldı.
Sulu solüsyon içeren şekil 5, kuvars hücre ve örnek onun duvar ile diyafram11önünde Stand yerleştirildi. Radyasyonlu mikrodalga ve örnek olarak μ-PCD sinyal-gürültü oranı yansıyan mikrodalga her yoğunluğunu örnek olan, ideal olarak, mümkün olduğu kadar yakın olmalıdır diyafram arasındaki uzaklığı bağımlı. Gerçek ölçüm elde edilen mesafe mümkün olduğu kadar yakın; Kuvars hücre kullanarak ölçüm kuvars hücre cam kalınlığı ile aynı oldu 0,5 mm olarak vermiştir.
Şekil 6 μ-PCD çürüme eğrileri n-tipi 4 H-SiC havada ve sulu çözümler gösterir. Bir uyarma ışık 266 nm 4H SiC, Si-yüz radyasyona maruz. Sulu çözümler kullanılan vardı konsantrasyonları, belirtildiği gibi daha önce aşağıdaki gibi: 1 M her H2SO4, HCl, Na2SO4, veya NaOH veya HF 1 wt %. Saat sabit çürüme eğrilerinin asidik sulu çözümler dalmış örnek ile daha uzun (yani, H2SO4, HCl veya HF), asidik çözüm düzgünleştirilecek Si yüzünde yüzey Birleşik ve yüzey Rekombinasyon, azaltılmış ima aşırı uçak gemisi.
Şekil 7 τ1/e n-tipi 4 H-SiC numunenin pH bağımlılığı heyecan üzerinde gösterir Si-surata 266 nm ışık. PH Yani H2molar konsantrasyonlarının hesaplanmıştır4, HCl ve NaOH. Bu rakam pH sulu çözümler taşıyıcı ömür boyu bağımlılığını belirtilir; Bu nedenle, düşük pH taşıyıcı ömür boyu üzerinde daha fazla etkileri olurdu.
Yüzey rekombinasyon hızı S τçoğaltmak hesaplanmıştır örnekleri için kullanılan1/e . Aşırı taşıyıcıları çürüme modelinin refs bildirilmiştir. 2 ve 3. Aşırı taşıyıcı konsantrasyon Dn(x, t) edinmek için aşağıdaki süreklilik denklemi çözüldü. Burada, Dn(x, t) zaman t ve derinlik x bir yarı iletken katmanda bir fonksiyonu olarak tanımlanmıştır; Böylece,
<img alt="Equation 7" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq7.jpg">, (6).
nerede Shockley – okuma-Hall (SRH) rekombinasyon nedeniyle toplu yaşam süresi τB mi, Dbir ambipolar Difüzyon katsayısı, B radyasyon rekombinasyon katsayısıdır ise C burgu rekombinasyon katsayısı.
Heyecanlı ve diğer yüzeyler sınır koşulları denklem 7 tarafından verildi:
<img alt="Equation 8" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq8.jpg">ve <img alt="Equation 9" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq9.jpg"> (7)
nerede S0 ve SW heyecanlı yüzey rekombinasyon hızını ve diğer yüzeylerde, sırasıyla, göstermek ve W kalınlığı.
Ayrıca, hafif darbe aydınlatma kullanarak ilk aşırı taşıyıcı konsantrasyon profili denklem 8'i kullanarak ifade gelir:
<img alt="Equation 10" src="/files/ftp_upload/59007/59007eq10.jpg">(8)
g0 x taşıyıcı konsantrasyonu nerede = 0 ve bir emme katsayısı.
Denklem 6 denklem 7 ve aşırı taşıyıcı çürüme sağlanan denklem 8 eğrilerinin ilk koşulu sınır koşulları istihdam ederek çözme. Bu süreç içinde S τkarşılaştırarak tahmin edilmiştir1/e elde edilen deneyler ve hesaplanan çürüme eğrileri. En küçük kareler uygun simge durumuna küçültülmüş deneysel τ1/e arasında hataları tüm koşullar ve hesaplanan τ1/e parametreleri S0, Sw ve τBile.
İçinde gösterildiği gibi çeşitli çürüme bileşenleri, yani, yüzey, SRH, ışınımsal ve burgu toplamı denklemi 6 taşıyıcı rekombinasyon olduğunu recombinations, olağanüstü yüksek taşıyıcı yoğunluğu olan son iki. Öte yandan, nokta kusurları ve yarı iletken band boşluk enerji seviyelerinde oluşturan Dislokasyonlar yarı iletken malzeme toplu olarak SRH rekombinasyon bağlıdır. Enerji düzeyleri arasında valence ve iletim bant taşıyıcı geçiş için taşları adım olarak hareket ederler.
m-PCD Ayrıca nonlinearity bir yüksek enjeksiyon durum olarak gösterir ve taşıyıcı ömür boyu13,25,26overestimates. Şekil 8 ölçülen m-PCD yüksek uyarma koşul altında gösterir. 1015 cm−2 enjekte foton yoğunluğu bozunma eğrisi daha yavaş yavaş oldu 1014 cm−2, mikrodalga nonlinearity sayesinde foton yoğunluğu için kıyasla dikkat edin. Ayrıca, şekil 3, şekil 4 ve şekil 6 ' da gösterilen ölçü örnekleri 8 x 1013 cm−2 ihmal edilebilir mikrodalga nonlinearity ve burgu sonuçlanan ve ışınımsal için bir enjekte foton yoğunluğu elde edilmiştir recombinations ama baskın SRH ve yüzey recombinations.
Şekil 6 -ebilmek alınmak kesik çizgiler için bakarak bozunma eğrisi hesaplamalar n-tipi 4 H-SiC Si-yüz için 266 nm ışığında, heyecanlı örneklemek için nerede τB 3 μs ve S için Si suratlı SSi = 200 cm/s veya 700 cm/s = . Her iki SSi ayar, deneysel bozunma eğrisi ölçülen nötr pH (Hava, 1 M Na2kadar4) ve asidik durumda (1 M H2SO4), sırasıyla vardı o S demek çoğaltılamaz, iyi Si Si yüzünde yüzey Birleşik hidrojen düzgünleştirilecek gibi asidik sulu çözümler 200 cm/s 700 cm/s ile azaltılmış n-tipi 4 H-SiC signiﬁcantly için.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig1.jpg"> Şekil 1: μ-PCD aygıt şematik diyagramı. Lazer ışık bir parçası tarafından yarı-yansıma yansıtma yansıtılır. Yansıyan lazer fotodiyot tarafından algılanır ve fotodiyot gelen bir sinyal osiloskop için bir tetikleyici olarak kullanılır. Bir mikrodalga Gunn diyot tarafından sirkülatörün bükük yönü oluşturulur; sonra bir mikrodalga diyafram gidiyor ve örnek irradiates. Örnekten yansıyan mikrodalga geri diyafram ve sirkülatör, içine nereye Schottky bariyer diyot tarafından algılanır geliyor. Son olarak, Schottky bariyer diyot gelen sinyal osiloskop tarafından görülmektedir. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig1large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig2.jpg"> Resim 2: μ-PCD sinyal başarısız E-H akortçusu akort için. Hiçbir ölçülebilir tepe başarısız akort için görülmektedir. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig2large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig3.jpg"> Şekil 3: μ-PCD bozunma eğrisi 266 tarafından Si yüzünde uyarma ile n-tipi 4H-SiC örnek için havada nm. Lazer zaman ışınlanmış = 0 s hangi sinyal yoğunluğu en yüksek seviyede değildir. Bu rakam Ichikawa vd.11 izinleri ile değiştirildi. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig3large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig4.jpg"> Şekil 4: 266 tarafından Si yüzünde uyarma ile n-tipi 4H-SiC örnek için normalleştirilmiş μ-PCD bozunma eğrisi havada nm. Bozunma eğrisi Şekil 2 ' deki en büyük değerini birlik için normalleştirilmiş. Kesikli çizgi değerini 1/e ve τ1/e tasvir yaklaşık 0,34 μs. Bu rakam Ichikawa vd.11 izinleri ile değiştirildi. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig4large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig5.jpg"> Şekil 5: kuvars hücrede sulu bir çözüm μ-PCD ölçü resim. Kuvars hücre μ-PCD bozunma eğrisi ölçüm sulu bir çözüm sağlamak için diyafram önünde stand yerleştirilir. Hücre boyuttur 5 x 20 x 40 mm (uzunluk x genişlik x yükseklik). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig5large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig6.jpg"> Şekil 6: normalleştirilmiş ve hesaplanan μ-PCD çürüme eğrileri 266 tarafından Si yüzünde uyarma ile n-tipi 4H-SiC örnek için hava ve sulu çözümler nm. Düz çizgiler temsil μ-PCD deneysel sonuç eğrileri H2O sulu çözümler için H2kadar4, HCL, Na2SO4, NaOH veya HF. Kesik çizgiler epilayers τB toplu taşıyıcı hayatta ile hesaplanan eğrileri vardır 3 μs ve yüzey rekombinasyon hız Si-yüz için SSi = 200 cm/s veya 700 cm/s =. Bu rakam Ichikawa vd.11 izinleri ile değiştirildi. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig6large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 7" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig7.jpg"> Şekil 7: τ1/e pH bağımlılığı için n-tipi 4 H-SiC örnek 266 tarafından Si yüzünde uyarma ile nm. Taşıyıcı ömür boyu sulu çözüm azaltır pH artırır. Bu sonuç o daha düşük pH taşıyıcı ömür boyu üzerinde daha fazla etkileri olacaktır gösterir. Bu rakam Ichikawa vd.11 izinleri ile değiştirildi. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig7large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>
<img alt="Figure 8" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59007/59007fig8.jpg"> Şekil 8: μ-PCD bozunma eğrisi n-tipi 4H-SiC uyarma enjekte foton yoğunluğu 10 ile14 ya da 1015 cm−2 266 Si suratından nm. 1015 cm−2 yüksek uyarma, foton yoğunluğu ölçüm alt foton yoğunluğu nedeniyle mikrodalga yansıtma nonlinearity ile bir daha yavaş yavaş çürüme eğri daha yapar. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59007/59007fig8large.jpg" target="_blank">Bu rakam daha büyük bir versiyonunu görüntülemek için buraya tıklayınız.</a>

Yarı iletkenler önemli fiziksel parametrelerden biri, taşıyıcı ömür boyu burada mikrodalga photoconductivity çürüme yöntemi kullanan bir iletişim kuralı ölçülür.

Taşıyıcı ömür boyu ölçümlerde mikrodalga Photoconductivity çürüme yöntemi aracılığıyla yarı iletkenler

This work presents a protocol employing the microwave photoconductivity decay (&#956;-PCD) for measurement of the carrier lifetime in semiconductor ...

Taşıyıcı ömrü yarı iletken dalga analizi ve malzemeleri için önemli bir parametredir. Taşıyıcı ömrü sapmak için ortak bir yöntemgerekir. Burada mikrodalga fotoiletkenlik bozunumu mikro-PCD olarak adlandırıyoruz.mikro-PCD genellikle güncel olmayan mikro-PCD uzun davranış ve uzun yıkıcı yöntemi olduğu için genellikle güncel değildir. Bu yöntemin bir diğer avantajı da herhangi bir yapıdaki malzemelerin saptırılmasından sonra duyarsızlıktır. Prosedürü gösteren Takato Asada, benim laboratuvarımdan bir öğrenci olacak.Bu yordamı başlatmak için, n-tipi 4H silikon karbür epilayer hazırlayın. Ultrasonik bir yıkayacak kullanarak, beş dakika aseton ile örnek yıkayın, beş dakika su ile takip. Daha sonra, numune yüzeyindeki nemi gidermek için bir azot tabancası kullanın.Sonra, sülfürik asit, hidrojen klorür, sodyum sülfat, sodyum hidroksit veya hidroflorik asit bir ağırlık bir molar hazırlayın. Ölçülecek sulu bir çözüm hazırlayın. Sonra bir kuvars hücre içine sulu çözelti dökün.Hazırlanan örneği hücreye aktarın ve sulu çözeltiye batırın. Ölçüm ekipmanını hazırlamak için, ışık kaynağını heyecanlandırmak için 266 nanometre darbeli lazerin güç kaynağını açın. Ardından lazer modunu beklemede ayarlayın.Darbeli lazeri ve osilatöre BNC kablosu bağlayın. Osilatörü açın ve darbeli lazere 100 hertz darbe dalgası giriş. Daha sonra, satın alma tetiklemek için BNC kablosu ile osiloskop bir fotodiyot bağlayın.O zaman fotodiyot'u aç. Sonra, güvenlik gözlüklerini tak. Darbe lazerışına ışınlayın ve mikrodalga dalga kılavuzunun diyafram açıklığını lazer ışığının optik yoluna ışığa dik yönde yerleştirin.Darbeli lazer optik yolu üzerinde yarım ayna yükleyin ve fotodiyot darbe lazer yansıtın. Daha sonra, osiloskop u açın ve fotodiyottan gelen sinyali algılamak için yeterli olan bir voltaj üzerinde tetik eşiğini ayarlayın. Daha sonra tetik frekansını bir osiloskopla kontrol edin ve gerekirse ayarlayın.Daha sonra, lazer modunu bekleme de ayarlayın. Yansıyan mikrodalga algılaması için mikrodalga dalga kılavuzuna schottky bariyer diyot ve osiloskopun sinyal giriş kanalını BNC kablosuyla bağlayın. Daha sonra bir silah diyot için 9,5 volt çalışma gerilimi uygulayın.Kuvars hücresini diyafram açıklığı önündeki standa mümkün olduğunca yakın yerleştirin ve bantla düzeltin. Taşıyıcı ömrünü ölçmek için lazer ışığı salınımını açın ve ışığı numuneye doğru ışınlayın. Optik yola yarım dalga plakası, polarize ve güç ölçer yerleştirin.Darbe lazerini güç ölçere ışınla. Lazerin uyarma yoğunluğunu kontrol edin. Daha sonra uyarma yoğunluğunun kontrolü için yarım dalga açısını ayarlayın.Daha sonra, optik yoldan güç ölçeri çıkarın. Osiloskopun zaman ve gerilim ölçeklerini, osiloskopta en yüksek sinyalin görüntülenmesi için ayarlayın. Daha sonra, bir E-H tuner ile mikrodalga genlik ve faz ayarlayın.Osiloskopu kontrol edin ve en yüksek sinyalin maksimum olduğu E-H ayarlayıcısını arayın. E-H tuner'in başarısız ayarı sinyalin kaybolmasısonucu. Bu adım en dikkatli şekilde gerçekleştirilmelidir.Şimdi, tehlikeye overtunings tuner kayıtları ve yanlış ölçüm verim. Veri işlemlerinde tuning hatası doğrulanamaz. Osiloskopun zaman ölçeğini ayarlayın ve osiloskoptaki ölçüm alanında bir bozunma eğrisi çizin.Sinyal-gürültü oranını artırmak için rasgele bir kaç kez sinyal inortalama. Ardından ölçüm verilerini elektronik dosya olarak bellek sürücüsüne kaydedin. Verileri işlemek için, sinyal verilerini kişisel bir bilgisayara aktarın ve denemeden elde edilen bozunma eğrilerini zamanın bir fonksiyonu olarak çizin.Arka plan gürültü düzeyinin ortalama değerini hesaplayın, bozunma sinyalinden çıkarın ve zamanın bir fonksiyonu olarak çizin. Bozunma sinyalinin tepe değerini bulun ve bozunma sinyalini tepe değerine bölün. Bu çizim havada ve sulu çözeltilerde n-tipi 4H silikon karbür mikro-PCD bozunma eğrileri gösterir.266 nanometrelik bir uyarma ışığı sulu çözeltilerde 4H silikon karbürsilikon fazışına ışınlandı. Çürüme eğrilerinin zaman sabiti, asidik sulu çözeltilere batırılan numuneyle daha uzun du, bu da asidik çözeltilerin silikon fazı üzerindeki yüzey durumlarını pasife ettiğini ve aşırı taşıyıcıların yüzey rekombinasyonunu azalttığını ima etti. Bu mevcut özelliklerin ses geçirmez olduğunu lütfen unutmayın.Yüksek iletkenlik lises geçirmezlik ölçümü ile sinyal gücü küçük olacaktır. Bu gibi durumlarda sinyalin çatallanması yeniden derecelenecektir. Yüksek sıcaklık ölçümü, numuneye sıcak plaka üzerine bastırırken hotware üfleyerek yapılabilir.Yüksek sıcaklık ölçümü sayesinde, farklı 15 taşıyıcı ömrü özellikleri spekülasyon. Bu yöntem konvansiyonel yarı iletken endüstrisine özel olarak kullanılmıştır. Bu yöntemle, 40 ohm aynı iletken malzemeleri ve yüzey özelliklerini tamamlayıcı olarak karakterize edebiliriz.Darbeli ışınlar tehlikelidir. Güvenlik gözlüğü kullandığınızdan emin olun ve ışık yansımasını önlemek için saatler takmayın.

carrier-lifetime-measurements-semiconductors-through-microwave

Research

JoVE Journal

Engineering

Mühendislik

Spektral olarak çözülmüş ve zaman çözümlü konfigürasyonlar dahil olmak üzere femtosaniye dört dalga karıştırma tekniği açıklanmıştır.  Bu tekniğin, doğrusal olmaması ve yüksek zamansal çözünürlüğü ile sağlanan III-V seyreltilmiş manyetik yarı iletkenlerdeki önemli fiziksel özelliklerin araştırılması için faydasını gösteriyoruz.

Femtosaniye Dört Dalga Karıştırma Kullanılarak GaMnas'ta Tutarlılık Bozulmasının Ölçülmesi

Düzensiz yapılar fonksiyonel kusur tasarımlar fotonik band aralığına ve eşi görülmemiş bir özgürlük oluşturulması için yeni mekanizmalar sunuyoruz. Düzensiz sistemlerin hesaplamalı zorlukları aşmak için, biz PBG malzemelerin yeni sınıf modüler makroskopik örnekleri inşa ve kolay ve ucuz bir şekilde, onların ölçek değişmeyen fotonik özelliklerini karakterize etmek için mikrodalga kullanın.

Düzensiz Fotonik Bandgap Malzemelerin Fotonik Properties Çalışması Mikrodalga ve Dielektrik Katı makroskopik Örnekleri kullanma

Kalay sülfür (SnS), Dünya'da bol miktarda bulunan, toksik olmayan güneş pilleri için aday bir malzemedir. Burada, %4,36 sertifikalı güç dönüştürme verimliliği sağlayan atomik katman biriktirme ve %3,88 sağlayan termal buharlaşma kullanan SnS güneş pillerinin üretim prosedürünü gösteriyoruz.

Termal Buharlaşma ve Atomik katman Biriktirme tarafından Record-verimlilik SNS Güneş Pilleri yapma

Toplu silikon kusurları rekombinasyon aktivitesini araştırmak için bir RT sıvı yüzey pasivasyon tekniği tarif edilmiştir. 1 dakika boyunca% 15 hidroflorik asit ve (iii) aydınlatma, (i) kimyasal temizlik ve silikon aşındırma, silisyum, (ii) daldırma: tekniği başarılı olması için, üç kritik adımları gereklidir.

Işık Geliştirilmiş Hidroflorik Asit Pasifleme: Dökme Silikon Kusurları Tespit için Hassas Tekniği

Süperiletken mikrodalga rezonatörler ışık, kuantum bilgi işlem uygulamaları ve malzeme karakterizasyonu tespiti için ilgi çekicidir. Bu çalışma imalat ve süperiletken mikrodalga rezonatör saçılma parametrelerinin karakterizasyonu için ayrıntılı bir prosedür sunar.

Süperiletken Rezonatörler Fabrikasyon ve Karakterizasyonu

Yarı iletken malzemelerdeki çıkıkların ve tane sınırlarının optik, elektriksel ve yapısal özellikleri, taramalı elektron mikroskobunda yapılan deneylerle belirlenebilir. Elektron mikroskobu, katodolüminesans, elektron ışını kaynaklı akım ve geri saçılan elektronların kırınımını araştırmak için kullanılmıştır.

Bir Tarama Elektron Mikroskobu tarafından Yarıiletken Malzemelerin Genişletilmiş Kusur Kapsamlı Karakterizasyonu

Burada, nanopartiküllerin şişme kapsülleme yoluyla bir polimer konak matrisine dahil edilmesini izlemek için güvenilir bir yöntem sunuyoruz. Kadmiyum selenit kuantum noktalarının yüzey konsantrasyonunun, kesitsel floresan görüntüleme yoluyla doğru bir şekilde görselleştirilebileceğini gösteriyoruz.

Doğrudan Floresan Görüntüleme kullanma Nanoparçacık-polimer kompozitler Gelişmiş Bileşim Analizi

Doğrudan ve tuzak aracılı rekombinasyon dinamiklerini araştırmak ve ince film yarı iletkenlerinin taşıyıcı hareketliliklerini belirlemek için Zaman Çözümlü Mikrodalga İletkenlik tekniği burada sunulmuştur.

Zaman çözülmesi Mikrodalga İletkenlik aracılığıyla İnce film Fotovoltaik Malzemeler rekombinasyon Dinamikleri

Ultra-yüksek Q fısıldayan galeri modu rezonatörler dayalı mikrodalga fotonik sistemleri kurmak için laboratuarda geliştirilen özel teknikler sunulmaktadır. Bu rezonatörler almak ve karakterize etmek için protokoller ayrıntılı olarak, ve mikrodalga fotonik uygulamaları bazı bir açıklama verilir.

Mikrodalga Fotonik Sistemleri Whispering-galeri-mod Rezonatörler dayanarak

Biz HF yerinde değişiklik 2 O 2 / H2O çözeltisi (% 0.01% -0.5) ya da metanol solüsyonları H dolu mikroakışkan odaları örnekleri ışınlanması ile hidrofilik veya hidrofobik duruma Si (001) yüzeyi ile tedavi edilmiş bir süreci rapor göreceli düşük nabız akıcılığa darbeli UV lazer kullanarak.

Sıvı Ortamda Darbeli UV Lazer Radyasyonla Silikon Yüzey Islanabilirliği Seçici Alan Değişikliği

Öğrenin yarı iletkenlerde taşıyıcı ömür boyu ölçümü için mikrodalga fotoconductivity çürüme yöntemini. Bu teknik silisyum karbür gibi malzemelerin karakterizasyonunda malzeme bozukluklarına karşı duyarsızlığıyla avantaj sağlar.

Taşıyıcı ömür boyu ölçümlerde mikrodalga Photoconductivity çürüme yöntemi aracılığıyla yarı iletkenler

Daha fazla video keşfet