Summary

任意の基板上の垂直配向小分子有機ナノワイヤーの超高密度アレイ

Published: June 18, 2013
doi:

Summary

我々は、垂直方向に順序付けられた小分子有機ナノワイヤーの超高密度アレイを製造するための簡単​​な方法を報告している。この方法は、安価に、任意の基板上に成長させることができる複雑なヘテロ構造ハイブリッドナノワイヤーの幾何学的形状の合成を可能にする。これらの構造は、有機エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、化学センシング、太陽光発電やスピントロニクスの潜在的なアプリケーションを持っている。

Abstract

近年ではπ共役系有機半導体は、大面積、低コストのディスプレイ、太陽光発電、印刷可能とフレキシブルエレクトロニクスと有機スピンバルブを含む多様なアプリケーションの数の活物質として浮上している。有機物(a)は、低コスト、低温処理と、電子光学及びスピン輸送特性の(b)は、分子レベルの設計を可能にする。このような特徴は、シリコン支配エレクトロニクス市場でニッチを彫るために有機物を有効にしている主流の無機半導体に対して容易に入手できない。有機ベースのデバイスの第一世代は、物理蒸着法や溶液処理によって成長させた薄膜ジオメトリ、焦点を当てている。しかしながら、有機ナノ構造体は 、上記アプリケーションのパフォーマンスを向上させるために使用することができ、かなりの努力が有機ナノ構造を製造するための方法を模索に投資されていることを実現している。

tは">有機ナノ構造体の特に興味深いクラスが縦向き有機ナノワイヤー、ナノロッドまたはナノチューブがよく厳格、高密度のアレイに編成されたものである。このような構造は、非常に汎用性があり、そのような様々なアプリケーションのための理想的な形態学的ア ​​ーキテクチャである化学センサー、スプリット双極nanoantennas、半径方向ヘテロ構造 "コア – シェル"ナノワイヤを有する光起電力デバイス、およびクロスポイント型形状を有するメモリ装置。そのようなアーキテクチャは、一般に、テンプレート指向のアプローチにより実現される。過去において、この方法がされている金属および無機半導体ナノワイヤ·アレイを成長させるために使用。もっと最近π共役高分子ナノワイヤーがナノポーラステンプレート内で栽培されているが、これらのアプローチのような、技術的に重要なπ共役系低分子量有機物の成長ナノワイヤで限られた成功を収めているトリス- 8 -ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq 3)、ルブレンとメタ一般に、有機ディスプレイ、太陽電池、薄膜トランジスタとスピントロニクスなど様々な分野で使用されていanofullerenes。

最近、我々は新規の "遠心分離支援"アプローチを用いることにより、上述した問題に対処することができた。したがって、この方法では、垂直方向に順序付けられたナノワイヤーアレイにパターニングすることができる有機材料のスペクトルを広げる。 Alq 3を、ルブレン及びメタノフラーレンの技術的重要性のために、私たちの方法は、これらの材料のナノ構造は、上述した有機デバイスの性能にどのように影響するかを探るために使用することができます。この記事の目的は、重要なステップ、制限、可能な修正を議論し、最終的にトラブルが、上記のプロトコルの技術的な詳細を記述し、このプロセスが任意の基板上に低分子有機ナノワイヤーを成長させるために拡張することができるかを実証することですシューティングおよび将来のアプリケーション。

Introduction

テンプレートアシスト法は、一般的に1-3垂直に配向されたナノワイヤアレイの製造に用いられる。この方法は、そのような多くの場合、様々な電子および光学用途で望ましい軸方向に4-6または放射状に7ヘテロ構造ナノワイヤ超格子、などの複雑なナノワイヤー形状の簡単な製造を可能にします。また、これは、スループットが高く、汎用性、低コスト、ボトムアップnanosynthesis方法である。その結果、鋳型指向の方法は2,3世界中の研究者の間で絶大な人気を得ています。

"テンプレート指向方式"の基本的な考え方は以下の通りである。最初のテンプレートは、垂直に配向筒状ナノ細孔のアレイを含む、製造される。毛穴が満たされるまで、次に、所望の材料は、ナノ細孔内に堆積されています。その結果、所望の材料は、細孔の形態を採用するとt内でホストされるナノワイヤーアレイを形成するemplate。最後に、ターゲットアプリケーションに応じて、ホストテンプレートを除去することができる。しかし、これは、垂直順序を破壊する。最終的なナノ構造の形状および寸法は、細孔の形態を模倣し、従ってホストテンプレートの合成は、製造プロセスの重要な部分である。

ナノ多孔質テンプレート各種の文献8に報告されている。最も一般的に使用されるテンプレートは、(b)は、ブロック共重合体及び(c)陽極酸化アルミニウム(AAO)テンプレート(a)は、高分子トラックエッチングメンブレンを含む。ポリマー·トラックエッチングメンブレンを作成するポリマーフォイルを完全に箔を貫通してバルク箔9内に潜イオン·トラックを残し、高エネルギーイオンを照射する。トラックは、選択的ポリマーフォイル以内ナノチャネルを作成するためにエッチングされる。ナノチャネルは、さらに適切なエッチング工程によって広げることができる。この方法の主要な問題は、理論値の不均一性であるeは、ナノチャネル、位置制御の欠如、チャネル間の不均一な相対距離、低密度(単位面積あたりのチャネル数が8〜10個/ cm 2)、および不十分多孔質構造1を命じた。ブロックコポリマー法では同様の円筒状のナノ多孔質テンプレートが第細孔8内の所望の材料の成長に続いて、作成される。

過去には、方法(a)および(b)は、ポリマーナノワイヤー8を作製するために使用されている上述した。しかし、これらの方法では、後処理工程中の選択エッチングの可能性がないため、任意の有機材料のナノワイヤーの合成に適しているわけではない。後処理は、典型的には、上述したテンプレートの有機溶媒を必要とするホストテンプレートの除去を含む。このような溶媒は、有機ナノワイヤーの構造的および物理的特性に有害な影響を有し得る。しかし、これらのテンプレートは、理想的なホとして働く例えば、コバルト10、ニッケル、銅、高分子ホストを除去するエッチング工程において影響を受けないまま、金属多層膜11、無機ナノワイヤSTS。上記方法のための別の潜在的な課題は、高い温度でホストマトリックスの不十分な熱安定性である。高温アニーリングは、多くの場合、ホストマトリックスの良好な熱安定性の必要性を示す有機ナノワイヤーの結晶性を向上させるために必要とされる。

アルミニウムの制御された電気化学的酸化(また、アルミニウムの"陽極"として知られている)周知の工業プロセスであり、一般自動車、調理器具、航空宇宙および腐食12からアルミニウム表面を保護するために、他の産業で使用されている。酸化アルミニウム(または "陽極酸化アルミナ")の性質は、陽極酸化のために使用される電解質のpHに大きく依存。耐食性のアプリケーションでは、陽極は、通常、WEAが行われるk個の酸(pH約5-7)、コンパクト、非多孔性、 "バリア型"アルミナ膜12を作成します。電解液(pH <4)強酸性である場合は、酸化物がH +イオンによる酸化物の局所的溶解による"質"になります。酸化渡る局所電場プリパターニング前に陽極酸化故に地元のH +イオン濃度と表面を決定し、最終多孔質構造をある程度制御を提供しています。細孔は小径(〜10〜200 nm)を、したがってそのようなナノ多孔質陽極酸化アルミナ膜は様々な材料2,3のナノワイヤを合成するため、近年、広く使用されてきたが、円筒形である。

ナノポーラス陽極酸化アルミナテンプレートは、良好な熱安定性、高い気孔密度、長距離孔順序、およびこのような電解液のpHと陽極酸化ボルトなどの陽極酸化パラメータの賢明な選択を介した細孔径、長さ、間孔分離孔密度の優れた同調性を提供しています年齢2,3。これらの理由のために、我々は、有機ナノワイヤーの成長のためのホストマトリックスとしてAAOテンプレートを選択します。また、アルミナなどの無機酸化物は、このようにアルミナ表面13上に有機溶液(低い表面エネルギー)の拡散を促進する均一な、高い表面エネルギーを有する。また、私たちの目標は、直接導電性および/または透明基板上に、これらのナノワイヤーアレイを成長させることです。その結果、細孔は、我々は以下に説明するように、追加の対価を必要とする、下端に閉鎖されている。薄いテンプレートの乏しい機械的安定性に起因した貫通孔テンプレートと所望の基板への後続の転送中でナノワイヤの成長は、多くの場合、貧しいインターフェース品質のために望ましくないとこの方法はショート丈ナノワイヤ(または薄いテンプレート)であっても現実的ではありません。

π共役系有機材料は、大きく二つに分類することができる:(a)長鎖共役ポリマーと、(b)小分子有機秒 emiconductors。多くのグループは、過去にAAOテンプレートの円筒形のナノ細孔内に長鎖ポリマーナノワイヤーの合成を報告している。このトピックについての包括的なレビューでは、レフリー8,14で利用可能です。しかし、AAOで商業的に重要な低分子有機物のナノワイヤの合成は、(例えば、ルブレン、トリス-8 -ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq 3)、PCBMなど)は極めて稀である。 AAOテンプレートのナノ細孔内及びルブレンのAlq 3を物理蒸着法は、いくつかのグループ4,15-17によって報告されている。しかし、有機物の唯一の薄い層(〜30 nm)の細孔内に堆積(〜50 nmの直径)と長時間堆積が毛穴の入り口4,16,17をブロックする傾向があることができます。細孔径が15(〜200 nm)を十分に大きければ、完全な細孔充填は、この方法で達成することができる。したがって、サブ100nmの範囲の細孔径に適用可能である代替方法を見つけることが重要である。

テンプレート湿潤"法8,14">他のいくつかの低分子有機物のために使用されている別のアプローチは、いわゆる"であるが、ほとんどのレポートに並ん開気孔と大径の両方に厚い商用テンプレート(〜50μm以下) (〜200 nm)で使用されてきた。このような方法は、片面にナノワイヤを製造していない前に、おそらく孔内溶液の浸透を防止する細孔内に捕捉されたエアポケットの存在に起因したように細孔を閉じた。我々は持っている以前にこれらの課題を克服し、任意の基板上の任意の大きさの低分子有機ナノワイヤーアレイの成長を可能にする新規な方法を報告した。以下では、我々は詳細なプロトコル、潜在的な限界と将来の変更について説明します。

Protocol

上述したように、AAOベース製造プロセスの2つの重要なステップは、()は、任意の(主に導電性および/ ​​または透明)基板( 図1の回路図説明)上の空AAOテンプレートの合成と小の(b)の成長であるAAOテンプレート( 図2)のナノ細孔内の分子有機ナノワイヤー。このセクションでは、これらのプロセスの詳細な説明を提供します。 1。導電?…

Representative Results

以下に示す図面( 図5及び図6)から明らかなように、この遠心アシストドロップキャスティング法は、連続的なナノワイヤーを生成する。 AAOテンプレートの細孔の内部に製造されたナノワイヤは、垂直配向均一で、かつ電気的にキャップされた底部で互いに分離されている。ナノワイヤの直径は、テンプレート内の気孔の直径によって決定される。それらが正常に?…

Discussion

ナノワイヤ成長のための物理的な絵

完全に有機ナノワイヤーの成長方法を理解することが最初に重要である。かつて我々は、彼らが成長し、私たちはエンジニアのナノ構造、デバイスや材料には、この蒸着法を使用することができます毛穴で自分自身を形成する方法を正確に知っている。過去において、ポリマーナノワイヤーは、遠心分離機の支援なしに、テンプレートの…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

この作品は、財政的にNSERC、CSEE、ナノブリッジとTRLabsによってサポートされています。

Materials

Reagents
Toluene Fisher Scientific T324-4
68% Nitric Acid Fisher Scientific A200-212
85% Phosphoric Acid Fisher Scientific A242-4
10% Chromic Acid RICCA Chemical Company 2077-32
10% Oxalic Acid Alfa Aesar FW.90.04
Chloroform Fisher Scientific C607-4
Aluminum Sheets Alfa Aesar 7429-90-5
PCBM Nano-C Nano-CPCBM-BF
Alq3 Sigma Aldrich 444561-5G
Rubrene Sigma Aldrich 551112-1G
Equipment
FlexAL Atomic Layer Deposition (ALD) Oxford Instruments For deposition of TiO2
PVD Sputter System Kurt J. Lesker For deposition of Au & Al
Flat Cell Princeton Applied Research K0235 For anodization of Al
Centrifuge HERMLE Labnet Z206 A For deposition of organic nanowires

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Cite This Article
Starko-Bowes, R., Pramanik, S. Ultrahigh Density Array of Vertically Aligned Small-molecular Organic Nanowires on Arbitrary Substrates. J. Vis. Exp. (76), e50706, doi:10.3791/50706 (2013).

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