(SEM) X 선 컴퓨터 단층 촬영 (CT) 및 주사 전자 현미경과 상관 광학 현미경 (LM)의 조합에 따라 LED를 깊이 분석에서

Jörg Meyer; Christian Thomas; Frank Tappe; Tekie Ogbazghi

doi:10.3791/53870

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방법 논문

(SEM) X 선 컴퓨터 단층 촬영 (CT) 및 주사 전자 현미경과 상관 광학 현미경 (LM)의 조합에 따라 LED를 깊이 분석에서

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DOI:

10.3791/53870

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2016년 6월 16일

Jörg Meyer¹ , Christian Thomas¹ , Frank Tappe¹ , Tekie Ogbazghi¹

¹Department Lippstadt, Hamm-Lippstadt University of Applied Sciences

이 논문에서

요약

활성 광학 장치의 포괄적 인 마이크로 특성에 대한 워크 플로는 설명한다. 그것은 CT, LM 및 SEM에 의해 구조뿐만 아니라 기능적인 조사가 포함되어 있습니다. 이 방법은 여전히 특성화 동안 작동 될 수있는 화이트 LED에 대해 설명된다.

초록

고장 분석에서는 발광 다이오드(LED) 및 미세 특성화의 유사한 전자 부품의 장치 특성화 및 리버스 엔지니어링이 중요한 역할을 합니다. 일반적으로 X선 컴퓨터 단층 촬영(CT), 광학 현미경(LM) 및 주사 전자 현미경(SEM)과 같은 다양한 기술이 별도로 사용됩니다. 마찬가지로, 결과는 각 기술에 대해 독립적으로 처리되어야 합니다. 여기에서는 CT, LM 및 SEM을 연결하여 활용되는 잠재력을 보여주는 포괄적인 연구를 보여줍니다. 심층적인 특성화는 모든 특성화 단계에서 작동할 수 있는 백색 발광 LED에서 수행됩니다. 주요 장점으로는 정의된 단면의 계획된 준비, 구조 및 구성 정보와 광학 특성의 상관 관계, 다양한 기능 영역의 신뢰할 수 있는 식별이 있습니다. 이는 동일한 관심 영역(ROI)에서 사용할 수 있는 광범위한 정보, 즉 편광 대비, 밝은 야수 및 암시야 LM 이미지, 작동 중인 LED 단면의 광학 이미지에서 비롯됩니다. 이는 SEM 이미징 기술과 에너지 분산 X선 분광법을 사용한 미세 분석으로 보완됩니다.

서론

이 문서는 상호 빛과 발광 다이오드 (LED)의 깊이 특성의 예시에 대한 전자 현미경 (클레멘 타인)와 X 선 컴퓨터 단층 촬영 (CT)의 조합의 잠재력과 장점을 보여줍니다. 이 방법으로는 단면을 현미경으로 묘화 될 수있는 반면, 전기 기능이 시험편의 나머지 부분에서 유지되는 것과 같은 방식으로 LED의 마이크로 제조를 도모 할 수있다. 절차는 여러 가지 독특한 특징이있다 : CT에 의해 얻어진 전체 샘플 볼륨 렌더링 AID가 먼저 계획된 마이크로 제조하는 단계; 둘째, 가능한 이미징 기법 (명암 필드 편광 콘트라스트 등)의 전체 종류의 광 현미경 (LM)에 의해 LED의 관찰; 셋째, LM에 의해 작동 LED를 관찰; 넷째, 전자 현미경 영상 기술의 전체 다양 동일 영역의 관찰은 이차 전자를 포함lectron (SE) 및 후면 산란 전자 (BSE) 이미지뿐만 아니라, 에너지 분산 형 형광 X 선 분광법 (EDX).

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