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Chapters
- 00:05Title
- 01:21Etching of the Mesa
- 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
- 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
- 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
- 11:08Fabrication of the Bonding Pads
- 11:54Dicing of the Sample
- 12:50Bonding
- 13:07Results: Confirming Gate Integrity
- 15:14Conclusion
Questo articolo presenta un protocollo di fabbricazione dettagliato per cancelli definiti punti quantici di semiconduttori laterali su eterostrutture di arseniuro di gallio. Questi dispositivi in nanoscala sono utilizzati per intrappolare alcuni elettroni per l'uso come bit quantici in elaborazione quantistica o per altri esperimenti mesoscopiche quali misure di conduttanza coerenti.
