Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects

00:05Title
01:02Cleaning and Etching the Silicon Wafers
04:08Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement
07:08Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation
08:10Conclusion

Summary

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A la surface du liquide de passivation technique RT pour étudier l'activité de recombinaison des défauts de silicium en vrac est décrit. Pour la technique soit efficace, trois étapes essentielles sont nécessaires: (i) le nettoyage et la gravure chimique du silicium, (ii) immersion de silicium dans de l'acide fluorhydrique à 15% et (iii) l'illumination pendant 1 min.

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