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Die Verwendung von Aufopferungs Nanopartikel zu entfernen, die Auswirkungen von Shot-Rauschen in Kontaktlöchern Vorgefertigte durch Elektronenstrahl-Lithografie
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Use of Sacrificial Nanoparticles to Remove the Effects of Shot-noise in Contact Holes Fabricated by E-beam Lithography
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Die Verwendung von Aufopferungs Nanopartikel zu entfernen, die Auswirkungen von Shot-Rauschen in Kontaktlöchern Vorgefertigte durch Elektronenstrahl-Lithografie

DOI:
10.3791/54551-v

•

07:47 min

•

February 12, 2017

•

,
1Department of Chemistry,Portland State University, 2Logic Technology Department,Intel Corporation

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:20Derivatization and Characterization of Silicon Wafer Surfaces
  • 02:14Gold Nanoparticle (GNP) Deposition into E-beam-patterned Holes
  • 03:46Pol(methyl methacrylate) (PMMA) Photoresist Reflow and Dry- and Wet-etching
  • 04:50Results: Reduction of Shot-noise by Deposition and Subsequent Etching of Sacrificial GNPs
  • 06:29Conclusion

Summary

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Einheitlicher Größe Nanopartikel können in Poly (methylmethacrylat) (PMMA) Photoresistfilme durch Elektronenstrahl (E-Strahl) Lithographie gemustert Schwankungen in Kontaktlochabmessungen entfernen. Das Verfahren beinhaltet die elektrostatische funnelling zum Zentrum und Ablagerung Nanopartikel in Kontaktlöchern, gefolgt von Photoresist-Reflow-und plasma- und Nassätzen Schritte.

Tags

Sacrificial NanoparticlesShot-noiseE-beam LithographyContact HolesSub-20 Nanometer PatternsRCA CleaningAATMSPMMAGold NanoparticlesEvaporation

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