Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Chong-Rong Wu; Tung-Wei Chu; Kuan-Chao Chen; Shih-Yen Lin

doi:10.3791/56494

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उपकरण निर्माण के लिए संक्रमण धातु फिल्मों के Sulfurization के माध्यम से बड़े क्षेत्र ऊर्ध्वाधर 2d क्रिस्टल Hetero-संरचनाओं की तैयारी

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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

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उपकरण निर्माण के लिए संक्रमण धातु फिल्मों के Sulfurization के माध्यम से बड़े क्षेत्र ऊर्ध्वाधर 2d क्रिस्टल Hetero-संरचनाओं की तैयारी

DOI:

10.3791/56494-v

•

08:50 min

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November 28, 2017

•

Chong-Rong Wu², Tung-Wei Chu³, Kuan-Chao Chen², Shih-Yen Lin²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Chapters

00:05Title
00:47WS₂/MoS₂Vertical Heterostructure Growth
03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
08:11Conclusion

Summary

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पूर्व जमा संक्रमण धातुओं के sulfurization के माध्यम से, बड़े क्षेत्र और ऊर्ध्वाधर 2d क्रिस्टल hetero-संरचनाओं गढ़े जा सकता है । इस रिपोर्ट में फिल्म के स्थानांतरण और डिवाइस निर्माण प्रक्रियाओं का भी प्रदर्शन किया गया है ।

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