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모든 전자 나노초 해결 주사 터널링 현미경: 촉진 단일 불순물 충전 역학 조사
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All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
Please note that all translations are automatically generated.
Click here for the English version.
모든 전자 나노초 해결 주사 터널링 현미경: 촉진 단일 불순물 충전 역학 조사
DOI:
10.3791/56861-v
•
11:33 min
•
January 19, 2018
•
Mohammad Rashidi
2
,
Wyatt Vine
,
Jacob A.J. Burgess
4,5
,
Marco Taucer
2,6
,
Roshan Achal
,
Jason L. Pitters
,
Sebastian Loth
4
,
Robert A. Wolkow
2
1
Department of Physics
,
University of Alberta
,
2
National Institute for Nanotechnology
,
National Research Council of Canada, Edmonton
,
3
Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter
,
4
Max Planck Institute for Solid State Research
,
5
Department of Physics and Astronomy
,
University of Manitoba
,
6
Joint Attosecond Science Laboratory
,
University of Ottawa
Chapters
00:05
Title
00:52
Initial Setup of Microscope and Experiments
02:05
Preparation of the H-Si(100)-(2×1) Reconstruction
04:20
Assessing the Quality of the Pump-probe Pulses at the Tunnel Junction
06:32
Experiment 1: Time-resolved Scanning Tunneling Spectroscopy
07:55
Experiment 2: Time-resolved STM Measurements of Relaxation Dynamics
08:47
Experiment 3: Time-resolved STM Measurements of Excitation Dynamics
09:27
Results: Investigation of Single Dopant Change Dynamics
10:43
Conclusion
Summary
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실리콘에서 불순물 원자의 나노초 해결 충전 역학 주사 터널링 현미경으로 관찰 하는 모든 전자 방법 보여 줍니다.
Tags
Keywords: Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy
Single Dopant Charge Dynamics
Time-resolved Scanning Tunneling Microscopy
Semiconductor Dopants
Tunneling Current
Ultra-high Vacuum
Cryogenic Temperatures
Arbitrary Function Generator
Radio Frequency Switches
Silicon Wafer
Sample Preparation
Tungsten Filament
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