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측면 NIPIN 포토 트랜지스터에 따라 유연한 이미지 센서의 제조
JoVE 신문
공학
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JoVE 신문 공학
Fabrication of Flexible Image Sensor Based on Lateral NIPIN Phototransistors
DOI:

09:59 min

June 23, 2018

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Chapters

  • 00:05Title
  • 00:26Si Doping and Isolation
  • 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
  • 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
  • 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
  • 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
  • 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
  • 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
  • 08:45Conclusion

Summary

자동 번역

우리는 곡선된 이미지 센서에 대 한 변형 측면 NIPIN 포토 트랜지스터 배열 조작 하는 자세한 방법을 제시. 얇은 실리콘 섬과 stretchable 금속 interconnectors의 구성 되는 오픈 메쉬 형태로, 포토 트랜지스터 배열 유연성과 stretchability을 제공 합니다. 매개 변수 분석기 조작된 포토 트랜지스터의 전기 속성 특징.

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